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Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha

Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha
Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha

Ampliación de imagen :  Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 1606 D-U-V
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha

descripción
Nombre del producto: Transistor de efecto de campo del MOS V voltaje de la Dren-fuente del DSS: 60 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: ±25 V Temperatura de empalme máxima de T J: °C 175
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: °C -55 a 150 I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo): 66A
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

Gestión clasificada del poder de los sistemas del inversor del transistor de efecto de campo del MOS de la avalancha

 

Descripción del transistor de efecto de campo del MOS

 

El transistor de efecto de campo del MOS es un tipo de MOSFET. El principio de funcionamiento del MOSFET del poder es similar al MOSFET general. Los MOSFETS del poder son muy especiales dirigir el de alto nivel de poderes. Muestra la alta velocidad de transferencia y comparando con el MOSFET normal, el MOSFET del poder funcionará mejor. Los MOSFETs del poder son ampliamente utilizados en el modo del aumento del canal N, modo del aumento del p-canal, y de forma de modo de agotamiento del canal N. Aquí hemos explicado sobre el MOSFET del poder del canal N. El diseño de MOSFET del poder fue hecho usando la tecnología del Cmos y también utilizado para el desarrollo de fabricar los circuitos integrados en los años 70.

 

Característica del transistor de efecto de campo del MOS

 

V/ A,
R del  del DS (ENCENDIDO) =10.4m (tipo.) @ V GS =10V
Avalancha clasificada
Confiable y rugoso
Dispositivos sin plomo y verdes disponibles
(RoHS obediente)

 

Usos del transistor de efecto de campo del MOS

 

Gestión del poder para los sistemas del inversor.

 

Información que ordena y de marcado

 

D
U: TO-251-3L D: TO-252-2L
Información que ordena y de marcado
G: Dispositivo sin plomo
Código de fecha
Código del paquete
Material de la asamblea
YYXXX WW
1606
YYXXXJWW G
1606
YYXXXJWW G
V1.1
1
HUAYI
HUAYI define
final del ation; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Ventaja de HUAYI
Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100%
Termin - los productos libres resuelven o exceden la ventaja
Requisitos libres de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo.
“Verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no se excede
900ppm por peso en material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a
este producto y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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