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Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

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Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder

Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder
Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder

Ampliación de imagen :  Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 3403D-U-V
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder

descripción
Nombre del producto: Transistor de efecto de campo del MOS V voltaje de la Dren-fuente del DSS: 30 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: ±20 V Temperatura de empalme máxima de T J: °C 175
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: °C -55 a 150 I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo): 100A
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder

 

Descripción del transistor de efecto de campo del MOS

 

El transistor de efecto de campo del MOS se utiliza en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. La variante s incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica.

 

Característica del transistor de efecto de campo del MOS

 

30V/100A
R DS (ENCENDIDO) = 2.4mΩ (tipo.) @V GS = 10V
R DS (ENCENDIDO) = 2.9mΩ (tipo.) @V GS = 4.5V

Avalancha 100% probada

Confiable y rugoso

Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles

(RoHS obediente)

 

Usos

 

Dólar síncrono de alta frecuencia de los sistemas
Convertidores para el poder del procesador del ordenador
DC-DC aislado de alta frecuencia
Convertidores con la rectificación síncrona
para las telecomunicaciones y el uso industrial

 

Información que ordena y de marcado

 

D U V
3403 3403 3403
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G

Código del paquete
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Material de la asamblea del código de fecha
YYXXX WW G: El halógeno libera

 

Nota: - los productos libres contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y plateTermi- de la lata del mate del 100%
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. - la reunión libre de los productos o excede el sin plomo requiere
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. “Verde”
para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso en homogéneo
material y total del Br y del Cl no excede 1500ppm por peso).
se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a este producto y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

Estructura vertical linear 3403D-U-V del transistor de efecto de campo del MOS del poder 0

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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