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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder más elevado | V voltaje de la Dren-fuente del DSS: | 40 V |
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| V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: | ±20 V | Temperatura de empalme máxima de T J: | °C -55 a 175 |
| Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: | °C -55 a 175 | I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo): | 150A |
| Alta luz: | interruptor del mosfet de la lógica,conductor del mosfet que usa el transistor |
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transistor de poder más elevado 150A, transistor de efecto de campo del MOS del canal N 40V
Usos del transistor de poder más elevado
La tecnología del poder MOSEFET es aplicable a muchos tipos de circuito. Los usos incluyen:
Característica del transistor de poder más elevado
40V/150A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 2.4mΩ GS = 10V
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 4.2mΩ GS = 4.5V
Avalancha 100% probada
Confiable y rugoso
Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)
Información que ordena y de marcado
D U V
G023N04 G023N04 G023N04
Código del paquete
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Código de fecha
Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y plateTermi- de la lata del mate del 100%
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define “verde”
para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso en homogéneo
material y total del Br y del Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
- oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.
Grados máximos absolutos
Persona de Contacto: David
