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Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado

Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado
Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado

Ampliación de imagen :  Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: G210P06LQ1 D-U-V
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado

descripción
Nombre del producto: Transistor de efecto de campo del MOS V voltaje de la Dren-fuente del DSS: -60 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: ±20 V Temperatura de empalme máxima de T J: 175°C
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: °C -55 a 175 I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo): -40A
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado

 

Característica del transistor de efecto de campo del MOS

 

-60V/-40A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 19mΩ GS = -10V
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 25mΩ GS = -4.5V
avalancha 100% probada
Confiable y rugoso
Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)

 

Usos del transistor de efecto de campo del MOS

 

Gestión del poder en convertidor de DC/DC.

Transferencia de la carga.

Control de motor.

 

Información que ordena y de marcado

 

D U V

G210P06 G210P06 G210P06

 

Código del paquete

 

D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S

 

Código de fecha

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y plateTermi- de la lata del mate del 100%
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define “verde”
para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso en homogéneo
material y total del Br y del Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
- oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado 0

Transistor de efecto de campo por encargo del MOS con punto bajo en resistencia del estado 1

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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