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Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta

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Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta

Ampliación de imagen :  Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 15P03C2
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Tipo: Semiconductor de óxido de metal
Número de modelo: 15P03C2 Potencia: -30V/-60A
R DS (ENCENDIDO): 6.8mΩ (tipo.) @V GS =-4.5V Función: Rugoso
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta

 

Descripción del transistor de poder del Mosfet

 

-30V/-60A
R DS (ENCENDIDO) = 4.8mΩ (tipo.) @V GS =-10V
R DS (ENCENDIDO) = 6.8mΩ (tipo.) @V GS =-4.5V
Confiable y rugoso
Dispositivos libres del halógeno disponibles
(RoHS obediente)

 

Usos del transistor de poder del Mosfet

 

Convertidor síncrono del dólar de la Punto-de-carga de alta frecuencia
Sistema eléctrico del establecimiento de una red DC-DC
Uso de la herramienta eléctrica

 

Información que ordena y de marcado

 

C2
15P03
YYXXXJWW G

 

Código del paquete
C2:
Material de la asamblea del código de fecha
YYXXX WW G: El halógeno libera

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

 

Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta 0

Características de funcionamiento típicas

 

Avalancha rugosa del transistor de poder del Mosfet del semiconductor de óxido de metal alta 1

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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