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Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor

Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor
Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor

Ampliación de imagen :  Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 4306W-A
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Número de modelo: 4306W-A
Potencia: 60V/230A R DS (ENCENDIDO) =  de m (tipo.): @ V GS =10V
Función: Carga baja de la puerta Aplicación: Conmutación
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor

 

¿Cuál es un transistor de poder del Mosfet?

 

Un MOSFET del poder es un tipo especial de transistor de efecto de campo del semiconductor de óxido de metal. Se diseña especialmente para manejar poderes de alto nivel. Los MOSFET del poder se construyen en una configuración de V. Por lo tanto, también se llama como V-MOSFET, VFET. Los símbolos MOSFET del poder del canal del canal N y del p se muestran en la figura abajo.

 

Descripción del transistor de poder del Mosfet

 

60V/230A
R DS (ENCENDIDO) =  de m (tipo.) @ V GS =10V
Reliableand rugoso
Ventaja FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

 

Usos del transistor de poder del Mosfet

 

Uso de la transferencia

Gestión del poder para los sistemas del inversor.

 

Información que ordena y de marcado

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor 0

 

Características de funcionamiento típicas

 

Transistor de poder bajo del Mosfet de la carga de la puerta para la gestión de sistemas del inversor 1

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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