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Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

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Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A

Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A
Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A

Ampliación de imagen :  Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: G045P03LQ1C2
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A

descripción
Nombre del producto: transistor de efecto de campo del MOS del canal N Número de modelo: G045P03LQ1C2
Potencia: -30V/-80A R del mΩ 3,8 del DS (ENCENDIDO) = (tipo.): @V GS = -10V
R del mΩ 6,2 del DS (ENCENDIDO) = (tipo.): @V GS = -4.5V Aplicación: Conmutación
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A

 

Descripción del transistor de efecto de campo del MOS del canal N

 

-30V/-80A
R del mΩ 3,8 del DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V GS = -10V
R del mΩ 6,2 del DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V GS = -4.5V
Avalancha 100% probada
Confiable y rugoso
Dispositivos libres del halógeno disponibles

 

Usos del transistor de efecto de campo del MOS del canal N

 

Uso de la transferencia
Gestión del poder para DC/DC
Protección de la batería

 

Información que ordena y de marcado

 

C2
G045P03

 

Código del paquete
C2: PPAK5*6-8L
Código de fecha

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A 0

 

Características de funcionamiento típicas

 

 

Transistor de efecto de campo del MOS del canal N, transistor de poder más elevado -30V/-80A 1

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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