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Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas

Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas
Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas

Ampliación de imagen :  Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP5N10SI
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas

descripción
Nombre del producto: Transistor de poder del Mosfet del canal N modelo: AP5N10SI
Paquete: SOT89-3 Marcado: AP5N10SI YYWWWW
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 100V Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±20A
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas

 

Descripción del transistor de poder del Mosfet del canal N:

 

El AP5N10SI es la sola lógica del canal N

transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento a

proporcione R excelente DS (encendido), carga de la puerta y bajo bajos

bloquee la resistencia. Está hasta voltaje de la operación 30V está bien adaptada en la fuente de alimentación del modo de la transferencia, SMPS,

gestión y otra del poder del ordenador portátil

circuitos con pilas.

 

Características del transistor de poder del Mosfet del canal N:

 

RDS (ENCENDIDO)<125m>

RDS (ENCENDIDO)<135m>

Diseño de alta densidad estupendo de la célula para extremadamente - bajo

En-resistencia del RDS (ENCENDIDO) y corriente excepcionales de DC del máximo

 

Usos del transistor de poder del Mosfet del canal N:

 

Fuente de alimentación de la transferencia, SMPS

Sistema con pilas

Convertidor de DC/DC

Convertidor de DC/AC

Interruptor de la carga

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP5N10SI SOT89-3 AP5N10SI YYWWWW 1000

 

Grados máximos de la tabla 1.Absolute (TA =25℃)

 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VDS Voltaje de la Dren-fuente (VGS=0V) 100 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente (VDS=0V) ±25 V

 

D

I

Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=25) 5 A
Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1) 20 A
Paladio Disipación de poder máxima 9,3 W
TJ, TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a 150
Símbolo Parámetro Valor Unidad
VDS Voltaje de la Dren-fuente (VGS=0V) 100 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente (VDS=0V) ±25 V

 

D

I

Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=25) 5 A
Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1) 20 A
Paladio Disipación de poder máxima 9,3 W
TJ, TSTG Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento -55 a 150

 

Característica de la tabla 2.Thermal

 

Símbolo Parámetro Tipo Valor Unidad
R JA Resistencia termal, Empalme-a-ambiente - 13,5 ℃/W

 

Características eléctricas del cuadro 3. (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Condiciones Minuto Tipo Máximo Unidad
Estados con./desc.          
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS=0V ID=250μA 100     V
IDSS Corriente cero del dren del voltaje de la puerta VDS=100V, VGS=0V     100 μA
IGSS Corriente de la salida del Puerta-cuerpo VGS=±20V, VDS=0V     ±100 nA
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS=VGS, μA ID=250 1 1,5 3 V

 

RDS (ENCENDIDO)

 

Resistencia del En-estado de la Dren-fuente

VGS=10V, ID= 10A   110 125 m Ω
VGS=4.5V, ID=-5A   120 135 m Ω
Características dinámicas
CISS Capacitancia de la entrada

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz

  690   PF
Coss Capacitancia de salida   120   PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia   90   PF
Tiempos de la transferencia
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura     11   nS

r

t

Tiempo de subida de abertura   7,4   nS
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado   35   nS

f

t

Tiempo de caída de la vuelta-Apagado   9,1   nS
Qg Carga total de la puerta VDS=15V, ID=10A V GS=10V   15,5   nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente   3,2   nC
Qgd Carga del Puerta-dren   4,7   nC
Características de diodo del Fuente-dren
DSI Corriente del Fuente-dren (diodo del cuerpo)       20 A
VSD Remiten en el voltaje (nota 1) VGS=0V, IS=2A     0,8 V

 

El soldar de flujo:

 

La opción del método de calefacción se puede influenciar por el paquete plástico de QFP). Si se utiliza el infrarrojo o la calefacción de la fase de vapor y

el paquete no es absolutamente seco (menos de 0,1% contenidos de agua por peso), vaporización de la pequeña cantidad de humedad

en ellos puede causar agrietarse del cuerpo plástico. El precalientamiento es necesario secar la goma y evaporar el agente astringente. Duración del precalientamiento: 45 minutos en 45 °C.

 

El soldar de flujo requiere la goma de la soldadura (una suspensión de las partículas finas de la soldadura, del flujo y del agente astringente) para ser aplicado al tablero del circuito impreso por la impresión, estarcir o la presión-jeringuilla de la pantalla dispensando antes de la colocación del paquete. Varios métodos existen para reflowing; por ejemplo, convección o convección/calefacción infrarroja en un tipo horno del transportador. Los tiempos de la producción (precalientamiento, soldando y refrescándose) varían entre 100 y 200 segundos dependiendo de método de calefacción.

 

°C típico de la gama de temperaturas del pico del flujo de 215 a 270 dependiendo del material de la goma de la soldadura. La top-superficie

temperatura de los paquetes si preferible ser guardado debajo del °C 245 para densamente/los paquetes grandes (paquetes con un grueso

 

2,5 milímetros o con un volumen 350 milímetros

3

supuestos paquetes gruesos/grandes). La temperatura de la top-superficie de los paquetes debe

 

preferible guárdese debajo del °C 260 para los paquetes finos/pequeños (paquetes con un grueso < 2="">

 

Etapa Condición Duración
1' Ram del st encima de la tarifa max3.0+/-2 /sec -
Precaliente 150 ~200 sec 60~180
2' Ram del nd para arriba max3.0+/-2 /sec -
Junta de la soldadura 217 arriba sec 60~150
Temporeros máximos 260 +0/-5 sec 20~40
Del Ram tarifa abajo 6 /sec máximo -

 

El soldar de la onda:

 

El solo soldar convencional de la onda no se recomienda para los dispositivos superficiales (SMDs) del soporte o los tableros del circuito impreso con una alta densidad componente, pues el enlace y la no-adherencia de soldadura de la soldadura pueden presentar problemas graves.

 

El soldar del manual:

 

Fije el componente primero soldando dos ventajas diagonal-opuestas del extremo. Utilice un bajo soldador de la tensión (24 V o menos) aplicado a la parte plana de la ventaja. El tiempo del contacto se debe limitar a 10 segundos en hasta 300 °C. Al usar una herramienta dedicada, el resto de las ventajas se pueden soldar en una operación en el plazo de 2 a 5 segundos entre 270 y 320 °C.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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