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Datos del producto:
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Nombre del producto: | Transistor de poder del Mosfet del canal N | modelo: | AP5N10SI |
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Paquete: | SOT89-3 | Marcado: | AP5N10SI YYWWWW |
Voltaje de la VDSDrain-fuente: | 100V | Voltaje del rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Transistor de poder del Mosfet del canal N de AP5N10SI para el sistema con pilas
Descripción del transistor de poder del Mosfet del canal N:
El AP5N10SI es la sola lógica del canal N
transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento a
proporcione R excelente DS (encendido), carga de la puerta y bajo bajos
bloquee la resistencia. Está hasta voltaje de la operación 30V está bien adaptada en la fuente de alimentación del modo de la transferencia, SMPS,
gestión y otra del poder del ordenador portátil
circuitos con pilas.
Características del transistor de poder del Mosfet del canal N:
RDS (ENCENDIDO)<125m>
RDS (ENCENDIDO)<135m>
Diseño de alta densidad estupendo de la célula para extremadamente - bajo
En-resistencia del RDS (ENCENDIDO) y corriente excepcionales de DC del máximo
Usos del transistor de poder del Mosfet del canal N:
Fuente de alimentación de la transferencia, SMPS
Sistema con pilas
Convertidor de DC/DC
Convertidor de DC/AC
Interruptor de la carga
Marca del paquete e información el ordenar
Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
AP5N10SI | SOT89-3 | AP5N10SI YYWWWW | 1000 |
Grados máximos de la tabla 1.Absolute (TA =25℃)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente (VGS=0V) | 100 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente (VDS=0V) | ±25 | V |
D I |
Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=25) | 5 | A |
Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=100) | 3,1 | A | |
IDM (pluse) | Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1) | 20 | A |
Paladio | Disipación de poder máxima | 9,3 | W |
TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente (VGS=0V) | 100 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente (VDS=0V) | ±25 | V |
D I |
Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=25) | 5 | A |
Drene Actual-continuo (el ℃ Tc=100) | 3,1 | A | |
IDM (pluse) | Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1) | 20 | A |
Paladio | Disipación de poder máxima | 9,3 | W |
TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
Característica de la tabla 2.Thermal
Símbolo | Parámetro | Tipo | Valor | Unidad |
R JA | Resistencia termal, Empalme-a-ambiente | - | 13,5 | ℃/W |
Características eléctricas del cuadro 3. (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Estados con./desc. | ||||||
BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS=0V ID=250μA | 100 | V | ||
IDSS | Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | VDS=100V, VGS=0V | 100 | μA | ||
IGSS | Corriente de la salida del Puerta-cuerpo | VGS=±20V, VDS=0V | ±100 | nA | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 1,5 | 3 | V |
RDS (ENCENDIDO) |
Resistencia del En-estado de la Dren-fuente |
VGS=10V, ID= 10A | 110 | 125 | m Ω | |
VGS=4.5V, ID=-5A | 120 | 135 | m Ω | |||
Características dinámicas | ||||||
CISS | Capacitancia de la entrada |
VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz |
690 | PF | ||
Coss | Capacitancia de salida | 120 | PF | |||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | 90 | PF | |||
Tiempos de la transferencia | ||||||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | 11 | nS | |||
r t |
Tiempo de subida de abertura | 7,4 | nS | |||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | 35 | nS | |||
f t |
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | 9,1 | nS | |||
Qg | Carga total de la puerta | VDS=15V, ID=10A V GS=10V | 15,5 | nC | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | 3,2 | nC | |||
Qgd | Carga del Puerta-dren | 4,7 | nC | |||
Características de diodo del Fuente-dren | ||||||
DSI | Corriente del Fuente-dren (diodo del cuerpo) | 20 | A | |||
VSD | Remiten en el voltaje (nota 1) | VGS=0V, IS=2A | 0,8 | V |
El soldar de flujo:
La opción del método de calefacción se puede influenciar por el paquete plástico de QFP). Si se utiliza el infrarrojo o la calefacción de la fase de vapor y
el paquete no es absolutamente seco (menos de 0,1% contenidos de agua por peso), vaporización de la pequeña cantidad de humedad
en ellos puede causar agrietarse del cuerpo plástico. El precalientamiento es necesario secar la goma y evaporar el agente astringente. Duración del precalientamiento: 45 minutos en 45 °C.
El soldar de flujo requiere la goma de la soldadura (una suspensión de las partículas finas de la soldadura, del flujo y del agente astringente) para ser aplicado al tablero del circuito impreso por la impresión, estarcir o la presión-jeringuilla de la pantalla dispensando antes de la colocación del paquete. Varios métodos existen para reflowing; por ejemplo, convección o convección/calefacción infrarroja en un tipo horno del transportador. Los tiempos de la producción (precalientamiento, soldando y refrescándose) varían entre 100 y 200 segundos dependiendo de método de calefacción.
°C típico de la gama de temperaturas del pico del flujo de 215 a 270 dependiendo del material de la goma de la soldadura. La top-superficie
temperatura de los paquetes si preferible ser guardado debajo del °C 245 para densamente/los paquetes grandes (paquetes con un grueso
2,5 milímetros o con un volumen 350 milímetros
3
supuestos paquetes gruesos/grandes). La temperatura de la top-superficie de los paquetes debe
preferible guárdese debajo del °C 260 para los paquetes finos/pequeños (paquetes con un grueso < 2="">
Etapa | Condición | Duración |
1' Ram del st encima de la tarifa | max3.0+/-2 /sec | - |
Precaliente | 150 ~200 | sec 60~180 |
2' Ram del nd para arriba | max3.0+/-2 /sec | - |
Junta de la soldadura | 217 arriba | sec 60~150 |
Temporeros máximos | 260 +0/-5 | sec 20~40 |
Del Ram tarifa abajo | 6 /sec máximo | - |
El soldar de la onda:
El solo soldar convencional de la onda no se recomienda para los dispositivos superficiales (SMDs) del soporte o los tableros del circuito impreso con una alta densidad componente, pues el enlace y la no-adherencia de soldadura de la soldadura pueden presentar problemas graves.
El soldar del manual:
Fije el componente primero soldando dos ventajas diagonal-opuestas del extremo. Utilice un bajo soldador de la tensión (24 V o menos) aplicado a la parte plana de la ventaja. El tiempo del contacto se debe limitar a 10 segundos en hasta 300 °C. Al usar una herramienta dedicada, el resto de las ventajas se pueden soldar en una operación en el plazo de 2 a 5 segundos entre 270 y 320 °C.
Persona de Contacto: David