De alta frecuencia del transistor de efecto de campo del MOS del canal N de AP10H06S

De alta frecuencia del transistor de efecto de campo del MOS del canal N de AP10H06S

Tipos del transistor de efecto de campo del MOS del canal N

Dentro de la arena total de los MOSFETs del poder, hay varias tecnologías específicas que han sido desarrolladas y alocución por diversos fabricantes. Utilizan varias diversas técnicas que permitan a los MOSFETs del poder llevar la corriente y manejar los niveles de poder más eficientemente. Como mencionado ya incorporan a menudo una forma de vertical estructure

Los diversos tipos de MOSFET del poder tienen diversas cualidades y por lo tanto se pueden adaptar particularmente para los usos dados.

• MOSFET planar del poder: Ésta es la forma básica de MOSFET del poder. Es bueno para los grados de alto voltaje porque ENCENDIDO la resistencia es dominada por la resistencia de la epi-capa. Esta estructura se utiliza generalmente cuando una alta densidad de célula no es necesaria.
• VMOS: Los MOSFETs del poder de VMOS han estado disponibles durante muchos años. El concepto básico utiliza una estructura del surco de V para permitir un flujo más vertical de la corriente, de tal modo proporcionando más bajo EN niveles de resistencia y mejores características de la transferencia. Aunque estén utilizados para la transferencia del poder, puedan también ser utilizados para los pequeños amplificadores de potencia de alta frecuencia del RF.
• UMOS: La versión de UMOS del MOSFET del poder utiliza una arboleda similar a ésa el FET de VMOS. Sin embargo la arboleda tiene una parte inferior más plana a ella y proporciona algunas diversas ventajas.
• HEXFET: Esta forma de MOSFET del poder utiliza una estructura hexagonal para proporcionar la capacidad actual.
• TrenchMOS: El MOSFET del poder de TrenchMOS utiliza otra vez una arboleda o un foso básica similar en el silicio básico para proporcionar capacidad y características mejor de dirección. Particularmente, los MOSFETs del poder del foso se utilizan principalmente para los voltajes sobre 200 voltios debido a su densidad del canal y por lo tanto su más bajo EN resistencia.

Características del transistor de efecto de campo del MOS del canal N

VDS = 60V IDENTIFICACIÓN =10A
RDS (ENCENDIDO) < 20m="">

Uso del transistor de efecto de campo del MOS del canal N

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Sistema de alimentación ininterrumpida

Marca del paquete e información el ordenar

Grados máximos absolutos (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

Características eléctricas (TC=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

Nota

1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.

3. Prueba del pulso: Μs del ≤ 300 de la anchura de pulso, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción

Atención

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3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

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