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Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio

Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio
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Ampliación de imagen :  Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP12N10D
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio

descripción
Nombre del producto: transistor del interruptor modelo: AP12N10D
Paquete: TO-252 Marcado: AP12N10D
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 100V Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±20A
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio

 

Descripción general:

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de AP12N10D
para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y
operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 4.5V. Esto
el dispositivo es conveniente para el uso como a
Protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.

 

Características generales

 

VDS = 100V IDENTIFICACIÓN = 5A
RDS (ENCENDIDO) < 140m="">

 

 

Uso

 

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP12N10D TO-252 AP12N10D 3000

 

Grados máximos absolutos en Tj=25℃ a menos que se indicare en forma diferente

 

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Drene el voltaje de la fuente VDS 100 V
Voltaje de fuente de puerta VGS ±20 V
Corriente continua del dren, ℃ TC=25 Identificación 12 A
Corriente pulsada del dren, ℃ de T =25 Identificación, pulso 24 A
Disipación de poder, ℃ de T C=25

P

D

17 W
Escoja la energía pulsada de la avalancha 5) EAS 1,2 mJ
Temperatura de la operación y de almacenamiento Tstg, Tj -55 a 150
Resistencia termal, empalme-caso RθJC 7,4 ℃/W
Resistencia termal, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Características eléctricas en el ℃ Tj=25 salvo especificación de lo contrario

 

Símbolo Parámetro Condición de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BVDSS voltaje de avería de la Dren-fuente V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (ENCENDIDO) resistencia del en-estado de la Dren-fuente VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (ENCENDIDO) resistencia del en-estado de la Dren-fuente V =4.5 V, ID=3 A   140 180

 

IGSS

 

corriente de la salida de la Puerta-fuente

V =20 V     100

 

nA

V =-20 V     -100
IDSS corriente de la salida de la Dren-fuente VDS=100 V, VGS=0 V     1 UA
CISS Capacitancia de la entrada V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacitancia de salida   28,9   PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia   1,4   PF
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Tiempo de subida   3,5   ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado   20,9   ns

t

f

Tiempo de caída   2,7   ns
Qg Carga total de la puerta     4,3   nC
Qgs carga de la Puerta-fuente   1,5   nC
Qgd carga del Puerta-dren   1,1   nC
Vplateau Voltaje de la meseta de la puerta   5,0   V
ES El diodo remite la corriente

 

VGS

    7

 

A

ISP Corriente de fuente pulsada     21
VSD Voltaje delantero del diodo IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Tiempo de recuperación reversa     32,1   ns
Qrr Carga reversa de la recuperación   39,4   nC
Irrm Corriente de recuperación reversa máxima   2,1   A
Símbolo Parámetro Condición de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BVDSS voltaje de avería de la Dren-fuente V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (ENCENDIDO) resistencia del en-estado de la Dren-fuente VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (ENCENDIDO) resistencia del en-estado de la Dren-fuente V =4.5 V, ID=3 A   140 180

 

IGSS

 

corriente de la salida de la Puerta-fuente

V =20 V     100

 

nA

V =-20 V     -100
IDSS corriente de la salida de la Dren-fuente VDS=100 V, VGS=0 V     1 UA
CISS Capacitancia de la entrada V =0 V,   206,1   PF
Coss Capacitancia de salida   28,9   PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia   1,4   PF
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Tiempo de subida   3,5   ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado   20,9   ns

t

f

Tiempo de caída   2,7   ns
Qg Carga total de la puerta ID=5 A,
VDS=50 V,
VGS=10 V
  4,3   nC
Qgs carga de la Puerta-fuente   1,5   nC
Qgd carga del Puerta-dren   1,1   nC
Vplateau Voltaje de la meseta de la puerta   5,0   V
ES El diodo remite la corriente

 

VGS

    7

 

A

ISP Corriente de fuente pulsada     21
VSD Voltaje delantero del diodo IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

rr

Tiempo de recuperación reversa IS=5 A, di/dt=100
A/μs
  32,1   ns
Qrr Carga reversa de la recuperación   39,4   nC
Irrm Corriente de recuperación reversa máxima   2,1   A

 

Atención

 

1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.

2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.

3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.

5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.

6, ninguna parte de esta publicación se pueden reproducir o transmitir en cualquier forma o de ninguna manera, electrónico o mecánico, incluyendo la fotocopia y la registración, o cualquier sistema del almacenamiento o de recuperación de información, o de otra manera, sin el permiso escrito anterior del semiconductor CO. de la microelectrónica de APM, LTD.

7, información (esquemas circulares incluyendo y los parámetros del circuito) adjunto está por ejemplo solamente; no se garantiza para la producción de volumen. La microelectrónica de APM cree que la información adjunto es exacta y confiable, pero no se hace ni está implicado ningunas garantías con respecto su uso o a cualquier infracción de los derechos de propiedad intelectual o de otras derechas de los terceros.

8, cualquiera y toda la información descritos o contenidos adjunto están conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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