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Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D

Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D
Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D

Ampliación de imagen :  Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP15N10D
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D

descripción
Nombre de producto: Transistor de poder del Mosfet modelo: AP15N10D
Paquete: TO-252 Marcado: AP15N10D XXX YYYY
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 100V Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±20V
Alta luz:

n channel mosfet transistor

,

high voltage transistor

Transistor de poder por encargo del Mosfet bajo EN la resistencia AP15N10D

 

Usos del transistor de poder del Mosfet

 

La tecnología del poder MOSEFET es aplicable a muchos tipos de circuito. Los usos incluyen:

  • Fuentes de alimentación lineares
  • Fuentes de alimentación de la transferencia
  • Convertidores de DC-DC
  • Control de motor de la baja tensión

Descripción del transistor de poder del Mosfet:

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de AP15N10D
y diseño para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) el gat bajo
carga de e. Puede ser utilizada en una amplia variedad de usos.
Es ESD protestado.

 

Características del transistor de poder del Mosfet

 

VDS =100V, IDENTIFICACIÓN =15A
RDS (ENCENDIDO) <112m>

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP15N10D TO-252 AP15N10D XXX YYYY 2500

 

Grados máximos absolutos (de T C =25 a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
V DS Voltaje de la Dren-fuente 100 V
V GS Voltaje del rce de la puerta-Sou ±20 V
℃ de la identificación @TC=25 Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 15 A
℃ de la identificación @TC=100 Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 7,7 A
℃ de la identificación @TA=25 Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 3 A
℃ de la identificación @TA=70 Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 2,4 A
IDM Corriente pulsada 2 del dren 24 A
EAS Sola energía 3 de la avalancha del pulso 6,1 mJ
IAS Corriente de la avalancha 11 A
℃ DE P D@TC =25 Disipación de poder total 3 34,7 W
℃ DE P D@TA =25 Disipación de poder total 3 2 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150
RθJA Resistencia termal 1 Empalme-ambiente 62 ℃/W
RθJC Empalme-caso 1 de la resistencia termal 3,6 ℃/W

 

Características eléctricas (℃ de TJ =25, a menos que se indicare en forma diferente)

 

Símbolo Parámetro Condiciones Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BV DSS Voltaje de avería de la Dren-fuente V GS=0V, I D=250uA 100 --- --- V
△BV DSS/△TJ Coeficiente de temperatura de BVDSS Referencia 25 al ℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática 2 de la Dren-fuente V GS=10V, ID=10A --- 93 112
V GS=4.5V, ID=8A --- 97 120
V GS (th) Voltaje del umbral de la puerta   1,0 --- 2,5 V
           
△VGS (th) V coeficiente de temperatura del GS (th)   --- -4,57 --- mV/℃
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 --- --- 1 UA
V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 --- --- 5
IGSS Corriente de la salida de la Puerta-fuente V GS = ±20V, V DS=0V --- --- ±100 nA
gfs Transconductancia delantera V DS=5V, ID=10A --- 13 --- S
Rg Resistencia de la puerta V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz --- 2 --- Ω
Qg Carga total de la puerta (10V)   --- 26,2 ---  
Qgs Carga de la Puerta-fuente --- 4,6 ---
Qgd Carga del Puerta-dren --- 5,1 ---
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

 

V DD=50V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=10A

--- 4,2 ---

 

ns

Tr        
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado --- 35,6 ---
Tf Tiempo de caída --- 9,6 ---
CISS Capacitancia de la entrada   --- 1535 ---  
Coss Capacitancia de salida --- 60 ---
Crss Capacitancia reversa de la transferencia --- 37 ---
ES Corriente de fuente continua 1,5 V G=VD=0V, fuerzan la corriente --- --- 12 A
ISMO Corriente de fuente pulsada 2,5 --- --- 24 A
V SD Voltaje delantero 2 del diodo V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 --- --- 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa IF=10A, dI/dt=100A/µs, --- 37 --- nS
Qrr Carga reversa de la recuperación --- 27,3 --- nC
Símbolo Parámetro Condiciones Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BV DSS Voltaje de avería de la Dren-fuente V GS=0V, I D=250uA 100 --- --- V
△BV DSS/△TJ Coeficiente de temperatura de BVDSS Referencia 25 al ℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática 2 de la Dren-fuente V GS=10V, ID=10A --- 93 112
V GS=4.5V, ID=8A --- 97 120
V GS (th) Voltaje del umbral de la puerta   1,0 --- 2,5 V
           
△VGS (th) V coeficiente de temperatura del GS (th)   --- -4,57 --- mV/℃
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =25 --- --- 1 UA
V DS=80V, V GS=0V, ℃ DE TJ =55 --- --- 5
IGSS Corriente de la salida de la Puerta-fuente V GS = ±20V, V DS=0V --- --- ±100 nA
gfs Transconductancia delantera V DS=5V, ID=10A --- 13 --- S
Rg Resistencia de la puerta V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz --- 2 --- Ω
Qg Carga total de la puerta (10V)   --- 26,2 ---  
Qgs Carga de la Puerta-fuente --- 4,6 ---
Qgd Carga del Puerta-dren --- 5,1 ---
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

 

V DD=50V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=10A

--- 4,2 ---

 

ns

Tr        
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado --- 35,6 ---
Tf Tiempo de caída --- 9,6 ---
CISS Capacitancia de la entrada   --- 1535 ---  
Coss Capacitancia de salida --- 60 ---
Crss Capacitancia reversa de la transferencia --- 37 ---
ES Corriente de fuente continua 1,5 V G=VD=0V, fuerzan la corriente --- --- 12 A
ISMO Corriente de fuente pulsada 2,5 --- --- 24 A
V SD Voltaje delantero 2 del diodo V GS=0V, I S=1A, ℃ DE TJ =25 --- --- 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa IF=10A, dI/dt=100A/µs, --- 37 --- nS
Qrr Carga reversa de la recuperación --- 27,3 --- nC

 

Nota:

los datos 1.The probaron por la superficie montada en un tablero de 1 pulgada FR-4 con el cobre 2OZ. los datos 2.The probaron por pulsado, el ≦ 300us, ciclo de trabajo el ≦2% de la anchura de pulso

los datos de 3.The EAS muestran el grado máximo. La condición de prueba es VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A

la disipación de poder 4.The es limitada por temperatura de empalme de 150 ℃

5. Los datos son teóricamente lo mismo que IDand IDM, en usos reales, se debe limitar por la disipación de poder total.

 

Atención

 

1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.

2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.

3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.

5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.

6, ninguna parte de esta publicación se pueden reproducir o transmitir en cualquier forma o de ninguna manera, electrónico o mecánico, incluyendo la fotocopia y la registración, o cualquier sistema del almacenamiento o de recuperación de información, o de otra manera, sin el permiso escrito anterior del semiconductor CO. de la microelectrónica de APM, LTD.

7, información (esquemas circulares incluyendo y los parámetros del circuito) adjunto está por ejemplo solamente; no se garantiza para la producción de volumen. La microelectrónica de APM cree que la información adjunto es exacta y confiable, pero no se hace ni está implicado ningunas garantías con respecto su uso o a cualquier infracción de los derechos de propiedad intelectual o de otras derechas de los terceros.

8, cualquiera y toda la información descritos o contenidos adjunto están conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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