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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Transistor de poder del Mosfet | modelo: | AP25N10X |
|---|---|---|---|
| Paquete: | SOP-8 | Marcado: | AP25N10S XXX YYYY |
| Voltaje de la VDSDrain-fuente: | 100V | Voltaje del rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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Convertidores del transistor de poder del Mosfet de AP25N10X 25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DC
Descripción del transistor de poder del Mosfet:
Uso VD avanzado de AP25N10X LA MAYORÍA de la tecnología a
proporcione RDS bajo (ENCENDIDO), carga baja de la puerta, transferencia rápida
Este dispositivo se diseña especialmente para conseguir una mejor aspereza
y conveniente utilizar adentro
RDS bajo (encendido) y FOM
Extremadamente - pérdida baja de la transferencia
Estabilidad y uniformidad o inversores excelentes
Características del transistor de poder del Mosfet
VDS =100V I D =25 A
RDS (ENCENDIDO) < 55m="">
RDS (ENCENDIDO) < 85m="">
Uso del transistor de poder del Mosfet
Control de motor electrónico de la fuente de alimentación del consumidor
DC aislado Síncrono-rectificación
usos de la Síncrono-rectificación
Marca del paquete e información el ordenar
| Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
| AP25N10S | SOP-8 | AP25N10S XXX YYYY | 3000 |
| AP25N10D | TO-252-3 | AP25N10D XXX YYYY | 2500 |
Ratings@Tj máximo absoluto =25 C (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | +20 | V |
| ID@TC =25℃ | Drene la corriente, VGS @ 10V | 25 | A |
| ID@TC =100℃ | Drene la corriente, VGS @ 10V | 15 | A |
| IDM | Dren pulsado Current1 | 60 | A |
| PD@TC =25℃ | Disipación de poder total | 44,6 | W |
| PD@TA =25℃ | Disipación de poder total | 2 | W |
| T STG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| T J | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 |
℃ |
| Rthj-c | Resistencia termal máxima, Empalme-caso | 2,8 | ℃/W |
| Rthj-a |
Resistencia termal máxima, Empalme-ambiente (Soporte del PWB) |
62,5 | ℃/W |
Characteristics@Tj eléctrico =25 C (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 100 | - | - | V |
| RDS (ENCENDIDO) |
Dren-fuente estática en Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
| VGS =5V, IDENTIFICACIÓN =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
| gfs | Transconductancia delantera | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
| IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | UA |
| IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Puerta total Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 3 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 9 | - | nC | |
| TD (encendido) | Retraso de abertura Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | ns |
| tr | Tiempo de subida | - | 18 | - | ns | |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | - | 20 | - | ns | |
| tf | Tiempo de caída | - | 5 | - | ns | |
| CISS | Capacitancia de la entrada |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 115 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 80 | - | PF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
| VSD | Remita en Voltage2 | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
| trr | Recuperación reversa Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | - | 70 | - | nC |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 100 | - | - | V |
| RDS (ENCENDIDO) |
Dren-fuente estática en Resistance2 |
VGS =10V, I =12A | - | - | 55 | mΩ |
| VGS =5V, IDENTIFICACIÓN =8A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 0,9 | - | 2,5 | V |
| gfs | Transconductancia delantera | VDS =10V, I =12A | - | 14 | - | S |
| IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =80V, VGS =0V | - | - | 25 | UA |
| IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS = +20V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Puerta total Charge2 | ID=12A | - | 13,5 | 21,6 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 3 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 9 | - | nC | |
| TD (encendido) | Retraso de abertura Time2 | VDS =50V | - | 6,5 | - | ns |
| tr | Tiempo de subida | - | 18 | - | ns | |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | - | 20 | - | ns | |
| tf | Tiempo de caída | - | 5 | - | ns | |
| CISS | Capacitancia de la entrada |
VGS =0V VDS =25V |
- | 840 | 1340 | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 115 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 80 | - | PF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | f=1.0MHz | - | 1,6 | - | Ω |
| VSD | Remita en Voltage2 | IS=12A, VGS =0V | - | - | 1,3 | V |
| trr | Recuperación reversa Time2 |
IS=12A, VGS =0V dI/dt=100A/µs |
- | 40 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | - | 70 | - | nC |
Notas:
1. Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. prueba 2.Pulse
3.Surface montado en 1 adentro
cojín de cobre 2 del tablero FR4
Atención
1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.
2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.
3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.
4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.
5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.
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8, cualquiera y toda la información descritos o contenidos adjunto están conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.
Persona de Contacto: David
