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Datos del producto:
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| Nombre de producto: | Interruptor dual del Mosfet | modelo: | AP50N10D |
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| Paquete: | TO-252 | Marcado: | AP50N10D XXX YYYY |
| Voltaje de la VDSDrain-fuente: | 100V | Voltaje del rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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AP50N10D se doblan transistor de poder más elevado del interruptor/50A 100V TO-252 del Mosfet
Usos duales del interruptor del Mosfet
Cambie las fuentes de alimentación del modo (SMPS)
Alumbrado residencial, comercial, arquitectónico y público
Convertidores de DC-DC
Control de motor
Usos automotrices
Descripción dual del interruptor del Mosfet:
La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de AP50N10D
para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y
operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 4.5V.
Este dispositivo es conveniente para el uso como a
Protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
Características duales del interruptor del Mosfet
VDS = 100V IDENTIFICACIÓN =50A
RDS (ENCENDIDO) < 25m="">
Marca del paquete e información el ordenar
| Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
| AP50N10D | TO-252 | AP50N10D XXX YYYY | 2500 |
Grados máximos absolutos (TC =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ±20 | V |
| Identificación | Drene Actual-continuo | 50 | A |
| I (100℃) | Drene Actual-continuo (TC=100℃) | 21 | A |
| IDM | Corriente pulsada del dren | 70 | A |
| Paladio | Disipación de poder máxima | 85 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,57 | W/℃ | |
| EAS | Sola energía de la avalancha del pulso (nota 5) | 256 | mJ |
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -55 a 175 | ℃ |
| RθJC | Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 2) | 1,8 | ℃/W |
Características eléctricas (TC =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condición | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS=0V ID=250μA | 100 | - | V | |
| IDSS | Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | Corriente de la salida del Puerta-cuerpo | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 3 | V | |
| RDS (ENCENDIDO) |
En-estado de la Dren-fuente Resistencia |
VGS=10V, ID=20A | - | 24 | 28 | mΩ |
| RDS (ENCENDIDO) |
En-estado de la Dren-fuente Resistencia |
VGS=4.5V, ID=10A | - | 28 | 30 | mΩ |
| gFS | Transconductancia delantera | VDS=5V, ID=10A | - | 15 | - | S |
| Clss | Capacitancia de la entrada | VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 2000 | - | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 300 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 250 | - | PF | |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDD=50V, RL=5Ω VGS=10V, RGEN=3Ω |
- | 7 | - | nS |
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r t |
Tiempo de subida de abertura | - | 7 | - | nS | |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | - | 29 | - | nS | |
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f t |
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | - | 7 | - | nS | |
| Qg | Carga total de la puerta | VDS=50V, ID=10A, VGS=10V |
- | 39 | - | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 8 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren | - | 12 | - | nC | |
| VSD | Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1,2 | V |
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S I |
Corriente delantera del diodo (nota 2) | - | - | - | 30 | A |
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rr t |
Tiempo de recuperación reversa |
TJ = 25°C, SI = 10A di/dt = 100A/μs (Note3) |
- | 32 | - | nS |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | - | 53 | - | nC | |
| tonelada | Tiempo de abertura delantero |
El tiempo de abertura intrínseco es insignificante (el excitamiento se domina cerca LS+LD) |
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Notas:
1, grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2, emergen montado en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3, prueba del pulso: Μs del ≤ 300 de la anchura de pulso, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.
4, garantizado por diseño, no conforme a la producción
5, condición de EAS: Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A
Atención
1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.
2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.
3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.
4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.
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Persona de Contacto: David
