Inicio Productostransistor de poder del mosfet

Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

Estoy en línea para chatear ahora

Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia

Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia
Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia

Ampliación de imagen :  Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP8205S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet modelo: AP8205S
Paquete: SOT23-6 Marcado: 8205S
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 20V Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±12V
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de poder solar del Mosfet de los inversores 6A 20V con alta velocidad de transferencia

 

Descripción del transistor de poder del Mosfet:

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de AP8205S
para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), carga baja de la puerta
y operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.
Este dispositivo es conveniente para el uso como batería
protección o en el otro uso de la transferencia.

 

Características del transistor de poder del Mosfet

 

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 6A
RDS (ENCENDIDO) < 20=""> RDS (ENCENDIDO) < 27="">

 

 

Uso del transistor de poder del Mosfet

 

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP8205S SOT23-6 8205S 3000

 

Characteristics@Tj eléctrico =25C (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS=0V, ID=250uA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática de la Dren-fuente VGS=4.5V, I D=6A - 20,5 27
VGS=2.5V, I D=4A - 27 37
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS=VGS, ID=250uA - 0,75 1,2 V
gfs Transconductancia delantera VDS=10V, ID=6A - 6 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS=20V, VGS=0V - - 25 UA

Corriente de la salida de la Dren-fuente

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V - - 250 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS=+12V, VDS=0V - - +100 nA
Qg Carga total 2 de la puerta ID=6A - 11 17,6 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 1,1 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 4,1 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura 2 VDS=10V - 4,2 - ns

r

t

Tiempo de subida - 9 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado - 23 - ns

f

t

Tiempo de caída - 3,5 - ns
CISS Capacitancia de la entrada

 

VGS=0V

- 570 910 PF
Coss Capacitancia de salida - 90 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 85 - PF
Rg Resistencia de la puerta f=1.0MHz - 1,6 2,4 Ω
VSD Remita en Voltage2 IS=1.7A, VGS=0V - - 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa 2 IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs - 21 - ns
Qrr Carga reversa de la recuperación   - 14 - nC
Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS=0V, ID=250uA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática de la Dren-fuente VGS=4.5V, I D=6A - 20,5 27
VGS=2.5V, I D=4A - 27 37
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS=VGS, ID=250uA - 0,75 1,2 V
gfs Transconductancia delantera VDS=10V, ID=6A - 6 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS=20V, VGS=0V - - 25 UA

Corriente de la salida de la Dren-fuente

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V - - 250 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS=+12V, VDS=0V - - +100 nA
Qg Carga total 2 de la puerta ID=6A - 11 17,6 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 1,1 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 4,1 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura 2 VDS=10V - 4,2 - ns

r

t

Tiempo de subida - 9 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado - 23 - ns

f

t

Tiempo de caída - 3,5 - ns
CISS Capacitancia de la entrada

 

VGS=0V

- 570 910 PF
Coss Capacitancia de salida - 90 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 85 - PF
Rg Resistencia de la puerta f=1.0MHz - 1,6 2,4 Ω
VSD Remita en Voltage2 IS=1.7A, VGS=0V - - 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa 2 IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs - 21 - ns
Qrr Carga reversa de la recuperación   - 14 - nC

 

Atención

 

1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.

2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.

3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.

5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.

6, ninguna parte de esta publicación se pueden reproducir o transmitir en cualquier forma o de ninguna manera, electrónico o mecánico, incluyendo la fotocopia y la registración, o cualquier sistema del almacenamiento o de recuperación de información, o de otra manera, sin el permiso escrito anterior del semiconductor CO. de la microelectrónica de APM, LTD.

7, información (esquemas circulares incluyendo y los parámetros del circuito) adjunto está por ejemplo solamente; no se garantiza para la producción de volumen. La microelectrónica de APM cree que la información adjunto es exacta y confiable, pero no se hace ni está implicado ningunas garantías con respecto su uso o a cualquier infracción de los derechos de propiedad intelectual o de otras derechas de los terceros.

8, cualquiera y toda la información descritos o contenidos adjunto están conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Deja un mensaje

¡Te llamaremos pronto!