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Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS

Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS
Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS

Ampliación de imagen :  Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP8810TS
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS

descripción
Nombre de producto: Interruptor del Mosfet modelo: AP8810TS
Paquete: TSSOP-8 Marcado: AP8810E XXX YYYY
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 20V Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±12V
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Interruptor de gran intensidad funcional multi del Mosfet del interruptor del Mosfet/AP8810TS

 

Descripción general:

 

El transistor de efecto de campo del MOS se utiliza en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. La variante s incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica.

 

Características generales

 

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A
Grado del RDS (ENCENDIDO < 28m=""> ) RDS (ENCENDIDO < 26m=""> ) RDS (ENCENDIDO < 22m=""> ) RDS (ENCENDIDO < 20m=""> ) ESD: 2000V HBM

 

Uso

 

Protección de la batería
Gestión del poder del interruptor de la carga

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP8810TS TSSOP-8 AP8810E XXX YYYY 5000

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25 a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS 20 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±12 V

 

Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1)

Identificación 7 A
IDM 25 A
Disipación de poder máxima Paladio 1,5 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento T J, T STG -55 a 150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) RθJA 83 ℃/W
Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS 20 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±12 V

 

Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1)

Identificación 7 A
IDM 25 A
Disipación de poder máxima Paladio 1,5 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento T J, T STG -55 a 150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) RθJA 83 ℃/W

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25 a menos que se indicare en forma diferente)

 

Parámetro Símbolo Condición Minuto Tipo Máximo Unidad
Voltaje de avería de la Dren-fuente BV DSS V μA de GS=0V ID=250 20     V
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Corriente de la salida del Puerta-cuerpo

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 nA
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 UA
Voltaje del umbral de la puerta V GS (th) V DS=V GS, μA ID=250 0,6 0,75 1,2 V

 

Resistencia del En-estado de la Dren-fuente

 

RDS (ENCENDIDO)

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 Ω de m
V GS=4V, ID=6A   16 22 Ω de m
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 Ω de m
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 Ω de m
Transconductancia delantera gFS V DS=10V, I D=6.5A   6,6   S
Capacitancia de la entrada Clss     650   PF
Capacitancia de salida Coss   360   PF
Capacitancia reversa de la transferencia Crss   154   PF
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido)     11 22 nS
Tiempo de subida de abertura

r

t

  12 28 nS
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado TD (apagado)   35 73 nS
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado

f

t

  33 65 nS
Carga total de la puerta Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Carga de la Puerta-fuente Qgs   2,5   nC
Carga del Puerta-dren Qgd   3,2   nC
Voltaje delantero del diodo (nota 3) V SD V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1,2 V
Parámetro Símbolo Condición Minuto Tipo Máximo Unidad
Voltaje de avería de la Dren-fuente BV DSS V μA de GS=0V ID=250 20     V
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta IDSS V DS=20V, V GS=0V     1 μA

 

Corriente de la salida del Puerta-cuerpo

 

IGSS

V GS=±4.5V, V DS=0V     ±200 nA
V GS=±10V, VDS=0V     ±10 UA
Voltaje del umbral de la puerta V GS (th) V DS=V GS, μA ID=250 0,6 0,75 1,2 V

 

Resistencia del En-estado de la Dren-fuente

 

RDS (ENCENDIDO)

V GS=4.5V, ID=6.5A   14 20 Ω de m
V GS=4V, ID=6A   16 22 Ω de m
V GS=3.1V, ID=5.5A   19 26 Ω de m
V GS=2.5V, ID=5.5A   24 28 Ω de m
Transconductancia delantera gFS V DS=10V, I D=6.5A   6,6   S
Capacitancia de la entrada Clss     650   PF
Capacitancia de salida Coss   360   PF
Capacitancia reversa de la transferencia Crss   154   PF
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido)     11 22 nS
Tiempo de subida de abertura

r

t

  12 28 nS
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado TD (apagado)   35 73 nS
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado

f

t

  33 65 nS
Carga total de la puerta Qg

 

V DS=10V, I D=7A, V GS=4.5V

  11 16 nC
Carga de la Puerta-fuente Qgs   2,5   nC
Carga del Puerta-dren Qgd   3,2   nC
Voltaje delantero del diodo (nota 3) V SD V GS=0V, IS=1.5A   0,84 1,2 V

 

NOTAS:

1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.

2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.

3. Prueba del pulso: Μs del ≤ 300 de la anchura de pulso, ≤ el 2% del ciclo de trabajo.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.

 

Atención

 

1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.

2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.

3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.

5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.

6, ninguna parte de esta publicación se pueden reproducir o transmitir en cualquier forma o de ninguna manera, electrónico o mecánico, incluyendo la fotocopia y la registración, o cualquier sistema del almacenamiento o de recuperación de información, o de otra manera, sin el permiso escrito anterior del semiconductor CO. de la microelectrónica de APM, LTD.

7, información (esquemas circulares incluyendo y los parámetros del circuito) adjunto está por ejemplo solamente; no se garantiza para la producción de volumen. La microelectrónica de APM cree que la información adjunto es exacta y confiable, pero no se hace ni está implicado ningunas garantías con respecto su uso o a cualquier infracción de los derechos de propiedad intelectual o de otras derechas de los terceros.

8, cualquiera y toda la información descritos o contenidos adjunto están conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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