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APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM
APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

Ampliación de imagen :  APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP2344GN-H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 10,000PCS/Month

APEC AP2344GN-H del transistor de poder del Mosfet de la cita 1.38W de BOM

descripción
Uso:: Circuitos del interruptor Number modelo:: APEC
Tipo del proveedor:: Fabricante original, agencia, minorista VDS:: 30v
Temperatura de funcionamiento:: -55 a 150 VGS:: -20V a 20V
Alta luz:

BOM Quotation Mosfet Power Transistor

,

BOM Quotation Mosfet Power Transistor

,

AP2344GN-H MOSFET Transistor

Los componentes electrónicos al por mayor apoyan la cita AP2344GN-H de BOM

 

Descripción

 

Las series AP2344 son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar la en-resistencia posible más baja y el funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

El paquete especial del diseño SOT-23 con buen funcionamiento termal se prefiere extensamente para todos los usos superficiales comercial-industriales del soporte usando la técnica infrarroja del flujo y se adapta para los usos de la conversión o del interruptor del voltaje.

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Grado Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente +8 V
ID@TA =25℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 6,4
ID@TA =70℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 5,1
IDM Corriente pulsada1del dren 20
PD@TA =25℃ Disipación de poder total 1,38 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Datos termales

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
Rthj-a Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente 90 ℃/W

 

AP2344GN-H

 

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática2de la Dren-fuente VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =6A - - 22
VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =4A - - 32
VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =2A - - 40
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA 0,4 - 1 V
IDENTIFICACIÓN (ENCENDIDO) En corriente del dren del estado VGS =4.5V, VDS =5V 30 - -
gfs Transconductancia delantera VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =6A - 27 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS =16V, VGS =0V - - 1 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS =+8V, VDS =0V - - +10 UA
Qg Carga total de la puerta

Identificación =6A

VDS =10V VGS =4.5V

- 22 35,2 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 2 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 6 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura VDS =10V - 8 - ns
tr Tiempo de subida Identificación =1A - 11 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado RG =3.3Ω - 38 - ns
tf Tiempo de caída VGS =5V - 7 - ns
CISS Capacitancia entrada

VGS =0V

VDS =10V f=1.0MHz

- 1520 2430 PF
Coss Capacitancia de salida - 175 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 155 - PF
Rg Resistencia de la puerta f=1.0MHz - 1,2 2,4 Ω

 

Diodo del Fuente-dren

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
VSD Remita en el voltaje2 ES =1.2A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa

ES =6A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 16 - ns
Qrr Carga reversa de la recuperación - 8 - nC

 

FAQ

 

¿1.What es nuestra compañía buena en la venta y producir?

1B.We tienen más de 14 años de experiencia en los componentes electrónicos agencia y ventas.

Y tenemos nuestro propio equipo del R&D y fábrica de SMT en productos de PCBA

 

¿2.What son nuestras fuerzas?

2B. Proporcionamos servicio a las porciones de marca grande en China.

Para los componentes electrónicos: Nuestra línea de productos es llena con diversa marca y diversa marca, usted puede encontrar siempre el un partido su requisito.

Para PCBA: Tenemos nuestro propio equipo del R&D y la fábrica de SMT, acepta al OEM. El plazo de obtención y la calidad está bajo control.

 

¿3.If que tenemos tan muchos artículos en la lista de BOM, cuánto tiempo me tomará para conseguir la cita?

la cita 3B.All con ser proporciona en el plazo de 2 días laborables

 

¿4.How sobre la calidad de sus productos? ¿Cuánto tiempo está la garantía en su producto? (Diversos productos)

4B.We prometen que todo el producto es el 100% bueno.

 

5. ¿Cuál es su plazo de expedición? (Punto/aduana)

semana 5B.1

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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