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Datos del producto:
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| Number modelo:: | AP2322GN | Marca:: | original |
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| Estado:: | Nuevo original | Tipo:: | LÓGICA ICS |
| Plazo de ejecución: | En stock | D/C:: | El más nuevo |
| Alta luz: | interruptor del MOSFET 10A,interruptor del MOSFET 0.833W,Transistor de poder del MOSFET de AP2322GN |
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Descripción
Los MOSFETs avanzados del poder utilizaron técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja, extremadamente eficiente y el dispositivo de la rentabilidad.
El paquete de SOT-23S se prefiere extensamente para los usos superficiales comercial-industriales del soporte y se adapta para los usos de la baja tensión tales como convertidores de DC/DC.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Grado | Unidades |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 20 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene la corriente3, VGS @ 4.5V | 2,5 | |
| ID@TA =70℃ | Drene la corriente3, VGS @ 4.5V | 2,0 | |
| IDM | Corriente pulsada1del dren | 10 | |
| PD@TA =25℃ | Disipación de poder total | 0,833 | W |
| TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
Datos termales
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| Rthj-a | Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente | 150 | ℃/W |
AP2322G
Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (ENCENDIDO) | En-resistencia estática2de la Dren-fuente | VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =1.6A | - | - | 90 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =1A | - | - | 120 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transconductancia delantera | VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =2A | - | 2 | - | S |
| IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | UA |
| IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total de la puerta |
Identificación =2.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 7 | 11 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 0,7 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 2,5 | - | nC | |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 6 | - | ns |
| tr | Tiempo de subida | - | 12 | - | ns | |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | - | 16 | - | ns | |
| tf | Tiempo de caída | - | 4 | - | ns | |
| CISS | Capacitancia entrada |
V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 350 | 560 | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 55 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 48 | - | PF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | f=1.0MHz | - | 3,2 | 4,8 | Ω |
Diodo del Fuente-dren
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Remita en el voltaje2 | ES =0.7A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tiempo de recuperación reversa |
ES =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | - | 13 | - | nC |
Notas:
anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse
3.Surface montó en 1 enel cojín de cobre2 FR4 del tablero, t<> 10sec; 360 ℃/W cuando está montado en el cojín de cobre mínimo.
Persona de Contacto: David
