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Interruptor del MOSFET del ICS 0.833W 10A de la LÓGICA de AP2322GN

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Interruptor del MOSFET del ICS 0.833W 10A de la LÓGICA de AP2322GN

Interruptor del MOSFET del ICS 0.833W 10A de la LÓGICA de AP2322GN
Interruptor del MOSFET del ICS 0.833W 10A de la LÓGICA de AP2322GN

Ampliación de imagen :  Interruptor del MOSFET del ICS 0.833W 10A de la LÓGICA de AP2322GN

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP2322GN
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiate
Detalles de empaquetado: CAJA DEL CARTÓN
Tiempo de entrega: semana 4~5
Condiciones de pago: L/C T/T WESTERN UNION
Capacidad de la fuente: 10,000/Month

Interruptor del MOSFET del ICS 0.833W 10A de la LÓGICA de AP2322GN

descripción
Number modelo:: AP2322GN Marca:: original
Estado:: Nuevo original Tipo:: LÓGICA ICS
Plazo de ejecución: En stock D/C:: El más nuevo
Alta luz:

10A MOSFET Power Switch

,

0.833W MOSFET Power Switch

,

AP2322GN MOSFET Power Transistor

Chips CI de fines generales originales del interruptor del poder Transistor/MOSFET/Power de AP2322GN

 

Este producto es sensible a la descarga electrostática, dirige por favor con cuidado.

 

Este producto no se autoriza para ser utilizado como componente crítico de un sistema de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales o de otros sistemas similares.

 

El APEC no será obligado para ninguna responsabilidad que se presenta del uso o el uso de cualquier producto o circuito describió en este acuerdo, ni asignará cualquier licencia bajo sus derechas de patente o asignará las derechas de otras.

 

El APEC se reserva la derecha de realizar cambios a cualquier producto en este acuerdo sin previo aviso de mejorar confiabilidad, la función o el diseño.

 

Descripción

 

Los MOSFETs avanzados del poder utilizaron técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja, extremadamente eficiente y el dispositivo de la rentabilidad.

El paquete de SOT-23S se prefiere extensamente para los usos superficiales comercial-industriales del soporte y se adapta para los usos de la baja tensión tales como convertidores de DC/DC.

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Grado Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente +8 V
ID@TA =25℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 2,5
ID@TA =70℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 2,0
IDM Corriente pulsada1del dren 10
PD@TA =25℃ Disipación de poder total 0,833 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Datos termales

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
Rthj-a Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente 150 ℃/W

 

AP2322G

 

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática2de la Dren-fuente VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =1.6A - - 90 mΩ
VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =1A - - 120 mΩ
VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =0.3A - - 150 mΩ
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA 0,25 - 1 V
gfs Transconductancia delantera VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =2A - 2 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS =20V, VGS =0V - - 1 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS =+8V, VDS =0V - - +100 nA
Qg Carga total de la puerta

Identificación =2.2A

VDS =16V VGS =4.5V

- 7 11 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 0,7 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 2,5 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 6 - ns
tr Tiempo de subida - 12 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado - 16 - ns
tf Tiempo de caída - 4 - ns
CISS Capacitancia entrada

V.GS=0V VDS =20V

f=1.0MHz

- 350 560 PF
Coss Capacitancia de salida - 55 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 48 - PF
Rg Resistencia de la puerta f=1.0MHz - 3,2 4,8 Ω

 

Diodo del Fuente-dren

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
VSD Remita en el voltaje2 ES =0.7A, VGS =0V - - 1,2 V
trr Tiempo de recuperación reversa

ES =2A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

- 20 - ns
Qrr Carga reversa de la recuperación - 13 - nC

 

Notas:

 

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.

prueba 2.Pulse

3.Surface montó en 1 enel cojín de cobre2 FR4 del tablero, t<> 10sec; 360 ℃/W cuando está montado en el cojín de cobre mínimo.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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