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AP2N1K2EN1 transistor del MOSFET de los chips CI SOT-723 0.15W 800mA

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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AP2N1K2EN1 transistor del MOSFET de los chips CI SOT-723 0.15W 800mA

AP2N1K2EN1 transistor del MOSFET de los chips CI SOT-723 0.15W 800mA
AP2N1K2EN1 transistor del MOSFET de los chips CI SOT-723 0.15W 800mA

Ampliación de imagen :  AP2N1K2EN1 transistor del MOSFET de los chips CI SOT-723 0.15W 800mA

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP2N1K2EN1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiate
Detalles de empaquetado: CAJA DEL CARTÓN
Tiempo de entrega: semana 4~5
Condiciones de pago: L/C T/T WESTERN UNION
Capacidad de la fuente: 10,000/Month

AP2N1K2EN1 transistor del MOSFET de los chips CI SOT-723 0.15W 800mA

descripción
Number modelo:: AP2N1K2EN1 Tipo del proveedor: Fabricante original, Odm, agencia, minorista
Marca:: Marca original Tipo del paquete: SOT-723 (N1)
D/C: El más nuevo Descripción:: Transistor
Alta luz:

transistor del MOSFET 800mA

,

transistor del MOSFET 0.15W

,

AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor

Componente electrónico del transistor AP2N1K2EN1 del MOSFET/chips CI originales

 

Descripción

 

Las series de AP2N1K2E son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar la en-resistencia posible más baja y el funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

 

El paquete SOT-723 con huella muy pequeña es conveniente para todo el uso superficial comercial-industrial del soporte.

 

Notas:

 

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse

3.Surface montó en el cojín de cobre mínimo del tablero FR4

 

Este producto es sensible a la descarga electrostática, dirige por favor con cuidado.

Este producto no se autoriza para ser utilizado como componente crítico de un sistema de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales o de otros sistemas similares.

El APEC no será obligado para ninguna responsabilidad que se presenta del uso o el uso de cualquier producto o circuito describió en este acuerdo, ni asignará cualquier licencia bajo sus derechas de patente o asignará las derechas de otras.

El APEC se reserva la derecha de realizar cambios a cualquier producto en este acuerdo sin previo aviso de mejorar confiabilidad, la función o el diseño.

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25°C (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Grado Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente +8 V
ID@TA =25℃ Drene la corriente3, VGS @ 2.5V 200 mA
IDM Corriente pulsada1del dren 400 mA
IS@TA =25℃ Corriente de fuente (diodo del cuerpo) 125 mA
ISMO Corriente de fuente pulsada1 (diodo del cuerpo) 800 mA
PD@TA =25℃ Disipación de poder total 0,15 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Datos termales

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
Rthj-a Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente 833 ℃/W

 

 

 AP2N1K2EN

 

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática2de la Dren-fuente VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =200MA - - 1,2 Ω
VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =200MA - - 1,4 Ω
VGS =1.5V, IDENTIFICACIÓN =40MA - - 2,4 Ω
VGS =1.2V, IDENTIFICACIÓN =20MA - - 4,8 Ω
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA 0,3 - 1 V
gfs Transconductancia delantera VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =200MA - 1,8 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS =16V, VGS =0V - - 10 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS =+8V, VDS =0V - - +30 UA
Qg Carga total de la puerta

IDENTIFICACIÓN =200MA VDS =10V

VGS =2.5V

- 0,7 - nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 0,2 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 0,2 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura VDS =10V - 2 - ns
tr Tiempo de subida Identificación =150mA - 10 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado RG =10Ω - 30 - ns
tf Tiempo de caída .VGS =5V - 16 - ns
CISS Capacitancia entrada

VGS =0V

VDS =10V f=1.0MHz

- 44 - PF
Coss Capacitancia de salida - 14 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 10 - PF

 

Diodo del Fuente-dren

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
VSD Remita en el voltaje2 ES =0.13A, VGS =0V - - 1,2 V

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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