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Transistor de poder del Mosfet de IC AP2308GEN SOT-23 0.69W 3.6A de la impulsión

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Transistor de poder del Mosfet de IC AP2308GEN SOT-23 0.69W 3.6A de la impulsión

Transistor de poder del Mosfet de IC AP2308GEN SOT-23 0.69W 3.6A de la impulsión
Transistor de poder del Mosfet de IC AP2308GEN SOT-23 0.69W 3.6A de la impulsión

Ampliación de imagen :  Transistor de poder del Mosfet de IC AP2308GEN SOT-23 0.69W 3.6A de la impulsión

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP2308GEN
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: semana 4~5
Condiciones de pago: L/C T/T WESTERN UNION
Capacidad de la fuente: 10,000/Month

Transistor de poder del Mosfet de IC AP2308GEN SOT-23 0.69W 3.6A de la impulsión

descripción
Number modelo:: AP2308GEN Condición:: nuevo y original
Tipo:: Conduzca IC Uso:: productos electrónicos
D/C:: Nuevo Ficha técnica:: los pls nos entran en contacto con
Alta luz:

SOT-23 Mosfet Power Transistor

,

3.6A Mosfet Power Transistor

,

0.69W MOSFET Transistor

Precio de la ventaja del componente electrónico AP2308GEN SOT-23 para la acción original

 

Descripción

 

Los MOSFETs avanzados del poder utilizaron técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja, extremadamente eficiente y el dispositivo de la rentabilidad.

El paquete de SOT-23S se prefiere extensamente para los usos superficiales comercial-industriales del soporte y se adapta para los usos de la baja tensión tales como convertidores de DC/DC.

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Grado Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente +8 V
ID@TA =25℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 1,2
ID@TA =70℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 1
IDM Corriente pulsada1del dren 3,6
PD@TA =25℃ Disipación de poder total 0,69 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Datos termales

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
Rthj-a Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente 180 ℃/W

 

AP2308GE

 

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática2de la Dren-fuente VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =1.2A - - 600
VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =0.3A - - 2 Ω
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA 0,5 - 1,25 V
gfs Transconductancia delantera VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =1.2A - 1 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS =20V, VGS =0V - - 1 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS =+8V, VDS =0V - - +30 UA
Qg Carga total de la puerta

IDENTIFICACIÓN =1.2A VDS =16V

VGS =4.5V

- 1,2 2 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 0,4 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 0,3 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

IDENTIFICACIÓN =1.2A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 17 - ns
tr Tiempo de subida - 36 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado - 76 - ns
tf Tiempo de caída - 73 - ns
CISS Capacitancia entrada

VGS =0V

.VDS =10V

f=1.0MHz

- 37 60 PF
Coss Capacitancia de salida - 17 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 13 - PF

 

Diodo del Fuente-dren

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidades
VSD Remita en el voltaje2 ES =1.2A, VGS =0V - - 1,2 V

 

Notas:

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.

prueba 2.Pulse

3.Surface montó en 1 enel cojín de cobre2 FR4 del tablero, t<> 10s; 400℃/W cuándo montó en el cojín de cobre mínimo.

 

Artículos: Nuevo AP2308GEN

Número de parte: AP2308GEN

Paquete: Componentes electrónicos

Componentes electrónicos: AP2308GEN

 

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