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Transistor de poder del Mosfet del inductor 0.35W 2.5A del LED AP1332GEU-HF

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Transistor de poder del Mosfet del inductor 0.35W 2.5A del LED AP1332GEU-HF

Transistor de poder del Mosfet del inductor 0.35W 2.5A del LED AP1332GEU-HF
Transistor de poder del Mosfet del inductor 0.35W 2.5A del LED AP1332GEU-HF

Ampliación de imagen :  Transistor de poder del Mosfet del inductor 0.35W 2.5A del LED AP1332GEU-HF

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP1332GEU-HF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: T/T, Western Union
Capacidad de la fuente: 30000pcs/week

Transistor de poder del Mosfet del inductor 0.35W 2.5A del LED AP1332GEU-HF

descripción
Number modelo:: AP1332GEU-HF Tipo:: Componentes electrónicos
Diodo:: Transistor Módulo de IGBT:: Tubo de alta frecuencia
Inductor:: LED D/C:: El más nuevo
Alta luz:

2.5A Mosfet Power Transistor

,

0.35W Mosfet Power Transistor

,

AP1332GEU-HF Diode Mosfet Transistor

El precio de fábrica barato AP1332GEU-HF entra en contacto con por favor el negocio, es en el mismo día prevalecerá

 

Descripción

 

Las series AP1332 son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar el posible más bajo en resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.

 

Notas:

 

anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.

prueba 2.Pulse.

3.Surface montó en FR4 el tablero, sec del ≦ 10 de t.

 

Ratings@Tj máximo absoluto =25.oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Grado Unidad
VDS Voltaje de la Dren-fuente 20 V
VGS Voltaje de la Puerta-fuente +8 V
ID@TA =25℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 600 mA
ID@TA =70℃ Drene la corriente3, VGS @ 4.5V 470 mA
IDM Corriente pulsada1del dren 2,5
PD@TA =25℃ Disipación de poder total 0,35 W
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Datos termales

 

Símbolo Parámetro Valor Unidad
Rthj-a Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente 360 ℃/W

 

AP1332GEU-H

Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA 20 - - V
RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática2de la Dren-fuente VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =600MA - - 0,6 Ω
VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =300MA - - 2 Ω
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA 0,5 - 1,25 V
gfs Transconductancia delantera VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =600MA - 1 - S
IDSS Corriente de la salida de la Dren-fuente VDS =16V, VGS =0V - - 10 UA
IGSS Salida de la Puerta-fuente VGS =+8V, VDS =0V - - +30 UA
Qg Carga total de la puerta

IDENTIFICACIÓN =600MA VDS =16V

VGS =4.5V

- 1,3 2 nC
Qgs Carga de la Puerta-fuente - 0,3 - nC
Qgd Carga del Puerta-dren (“Miller”) - 0,5 - nC
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura

IDENTIFICACIÓN =600MA RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

- 21 - ns
tr Tiempo de subida - 53 - ns
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-apagado - 100 - ns
tf Tiempo de caída - 125 - ns
CISS Capacitancia entrada

VGS =0V

V.DS=10V f=1.0MHz

- 38 60 PF
Coss Capacitancia de salida - 17 - PF
Crss Capacitancia reversa de la transferencia - 12 - PF

 

Diodo del Fuente-dren

 

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
VSD Remita en el voltaje2 ES =300MA, VGS =0V - - 1,2 V

 

[Envío]


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Contacto
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