Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
VDSS:20V
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
VDS:30V
RDS (ENCENDIDO) < 35mΩ:(VGS = 4.5V)
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
VDS:30V
Identificación (en VGS=10V):13
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V):< 24m="">
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Aplicación:Transferencia de alta frecuencia
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Estructura:estructura vertical
V voltaje de la Dren-fuente del DSS:-40 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS:±20 V
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
V voltaje de la Dren-fuente del DSS:-60 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS:±20 V
Nombre del producto:Transistor de efecto de campo del MOS
V voltaje de la Dren-fuente del DSS:30 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS:±20 V
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
V voltaje de la Dren-fuente del DSS:30 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS:±20 V
Nombre del producto:Transistor de efecto de campo del MOS
V voltaje de la Dren-fuente del DSS:60 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS:±25 V