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2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Name: 2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 2SA1015

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Ampliación de imagen : 2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	2SA1015

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

descripción

Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor	Aplicación:	la fuente de alimentación móvil llevó control del conductor/de motor
Materiales:	silicio	voltaje de la Emisor-base:	6v
Caso:	Cinta/bandeja/carrete	VCBO:	-50V
Alta luz:	transistor del pnp de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 2SA1015 (PNP)

CARACTERÍSTICA

Disipación de poder de Ÿ

MARCADO

Código de A1015=Device

El sólido dot=Green el dispositivo compuesto que moldea, si ninguno, el dispositivo normal

Y=Rank del hFE, XXX=Code

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
2SA1015	TO-92	Bulto	10000
2SA1015-TA	TO-92	Cinta	2000

GRADOS MÁXIMOS (TA =25Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Metro de Para	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	-50	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	-50	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	-5	V
I_C	Corriente de colector - continua	-150	mA
P_D	Disipación de poder del colector	400	mW
R0 JA	La termal resiste ance del empalme a ambiente	312	Š/W
T_j	Temperatura de empalme	150	Š
Tstg	Temperatura del orage del St	-55 ~+150	Š

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C= -100ΜA, ES DECIR =0	-50			V
voltaje de avería del Colector-emisor	(BR) CEO V	I_C= -0.1MA, I_B=0	-50			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = -100ΜA, I_C=0	-5			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB= -50V, ES DECIR =0			-0,1	µA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE= -50V, I_B=0			-0,1	µA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB= -5V, I_C=0			-0,1	µA
Aumento actual de DC	hFE	V_CE= -6V, I_C= -2MA	70		700
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado)	I_C= -100MA, I_B= -10MA			-0,3	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado)	I_C= -100MA, I_B= -10MA			-1,1	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE= -10 V, I_C= -1mA f =30MHz	80			Megaciclo
Capacitancia de salida del colector	Mazorca	V_CB=-10V, ES DECIR =0, f=1MHz			7	PF
Figura de ruido	N-F	V_CE= -6 V, I_C= -0.1mA, f =1kHz, R_G=10kK			6	DB

CLASIFICACIÓN de h_FE1

Fila	O	Y	GR	BL
Gama	70-140	120-240	200-400	350-700

Características típicas

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 1

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 2

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 3

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 4

Dimensiones del esquema del paquete

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	3,300	3,700	0,130	0,146
A1	1,100	1,400	0,043	0,055
b	0,380	0,550	0,015	0,022
c	0,360	0,510	0,014	0,020
D	4,300	4,700	0,169	0,185
D1	3,430		0,135
E	4,300	4,700	0,169	0,185
e	1,270 TIPO		0,050 TIPOS
e1	2,440	2,640	0,096	0,104
L	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
h	0,000	0,380	0,000	0,015

Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 5

Disposición sugerida TO-92 del cojín
2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 6

TO-92 7DSH DQG 5HHO

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 7

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2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP 9

etiqueta:

Persona de Contacto: David

Otros productos

Transferencia de poca velocidad encapsulada plástico B772 de los transistores de poder de la extremidad de PNP TO-251-3L

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

B772 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Tipo material del transistor del triodo del silicio de los transistores de poder de la extremidad MJE13003 NPN

Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

Circuito del transistor de D882 NPN, voltaje 30v del emisor del colector del transistor de poder de NPN

Voltaje de la VoltageCollector-base de la Colector-base: 40V
Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: 6v
Transistor del Mosfet del poder: TO-126 Plástico-encapsulan

Plástico de los transistores de poder de la extremidad de A733 PNP TO-92 - encapsule los transistores

VCBO: -60V
VCEO: -50V
VEBO: -5V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor del silicio

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

transistor de poder del mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo de transferencia dual

Transistor de efecto de campo del MOS

Mosfet en doble canal

diodo de rectificador rápido de la recuperación

diodo Zener del poder

puente rectificador de Schottky

diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

2SA1015 interruptor del transistor del poder más elevado PNP, circuito del transistor de la extremidad PNP

transistor del pnp de la extremidad

transistor del pnp del poder más elevado

INFORMACIÓN EL ORDENAR

GRADOS MÁXIMOS (TA =25Š a menos que se indicare en forma diferente)

CLASIFICACIÓN de h_FE1

transistor del pnp del poder más elevado,

transistores de la serie de la extremidad,

transistor del pnp de la extremidad

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INFORMACIÓN EL ORDENAR

GRADOS MÁXIMOS (TA =25Š a menos que se indicare en forma diferente)

CLASIFICACIÓN de hFE1

transistor del pnp del poder más elevado,

transistores de la serie de la extremidad,

CLASIFICACIÓN de h_FE1