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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet

(118)

Transistores de poder de la extremidad

(30)

Transistor de poder del silicio

(19)

Diodo de transferencia dual

(15)

Transistor de efecto de campo del MOS

(29)

Mosfet en doble canal

(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación

(6)

diodo Zener del poder

(6)

puente rectificador de Schottky

(10)

diodo de rectificador de alto voltaje

(15)

Triodo del semiconductor

(9)

Estabilizador IC del voltaje

(14)
Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Ampliación de imagen :  MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 20G04S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Tipo: Transistor del Mosfet
Identificación del producto: 20G04S VDS: 40V
Características: Paquete superficial del soporte VGS: ±20V
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

MOSFET del modo del aumento de 20G04S 40V N+P-Channel

 

Descripción

El foso avanzado de las aplicaciones 20G04S

tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.

Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a

el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro

usos

 

Características generales

Canal N

VDS =40V, ID =20A

RDS(ENCENDIDO)< 35m=""> GS=10V

RDS(ENCENDIDO)< 42m=""> GS=4.5V

P-canal

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(ENCENDIDO)<40m> GS=-10V

RDS(ENCENDIDO)< 70m=""> GS=-4.5V

Poder más elevado y capacidad que da actual

Se adquiere el producto sin plomo

Paquete superficial del soporte

 

Uso

Uso de la transferencia del poder del ●

Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●

Sistema de alimentación ininterrumpida del ●

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 0

Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 1
Características eléctricas de N-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 2

 

 

Características eléctricas de P-CH (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 3
 
Notas:
1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. Superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción
 
Características típicas del canal N
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 4MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 5MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 6MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 7MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 8MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 9
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 10
 
 
 
 
Características típicas del P-canal
 
MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 11MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 12MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 13MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 14MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 15MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P 16
 
 

etiqueta:

transistor de alto voltaje,

transistor del mosfet del canal N,

interruptor de gran intensidad del mosfet

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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