Datos del producto:
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Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | VDS: | 30V |
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Identificación (en VGS=10V): | 13 | Número de modelo: | HXY4406A |
RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V): | < 11=""> | Tipo: | Transistor del Mosfet |
Alta luz: | transistor de gran intensidad,interruptor del mosfet de la lógica |
Resumen del producto
VDS | 30V |
Identificación (en VGS=10V) | 13A |
RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V) | < 11=""> |
RDS (ENCENDIDO) (en VGS = 4.5V) | < 15=""> |
Descripción general
El HXY4406A utiliza el toprovide avanzado RDS excelente de la tecnología del foso (ENCENDIDO) con la carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el alto interruptor lateral en usos andgeneral del propósito de SMPS.
Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)
A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.
el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.
C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar
initialT =25°C.
D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>
F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente con la cual se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4
2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.
G. El ciclo de trabajo el 5% del punto máximo, limitado por la temperatura de empalme TJ (max) =125°C.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
Persona de Contacto: David