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Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado

Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado
Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado

Ampliación de imagen :  Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: HXY2308
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet RDS (ENCENDIDO): 136mΩ
Función: Paquete superficial del soporte Número de modelo: HXY2308
Aplicación: Interruptor de batería Tipo: Transistor del Mosfet
Alta luz:

transistor de gran intensidad

,

interruptor del mosfet de la lógica

SOT-23 Plástico-encapsulan el MOSFET del canal N de los MOSFETS HXY2308

 

Resumen del producto

 

VDSS= V ID= 3,0 A 60

RDS (encendido) 120mΩ@ 10 V < VGS="
RDS (encendido) < 136m="">

 

CARACTERÍSTICA
 
poder más elevado del  y capacidad que da actual
se adquiere el producto sin plomo del 
paquete del soporte de la superficie del 
 
 

 

Usos

 

interruptor de batería del 

convertidor del  DC/DC

 

 

Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
Plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N HXY2308 SOT-23 encapsulado 0
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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