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V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P
V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P

Ampliación de imagen :  V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 10P10 D-U
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P

descripción
Nombre del producto: Transistor de efecto de campo del MOS V voltaje de la Dren-fuente del DSS: -100 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: ±20 V Temperatura de empalme máxima de T J: °C 175
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: °C -55 a 175 Tipo: V configuraciones
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P

 

Introducción del transistor de efecto de campo del MOS

 

La tecnología del MOSFET es ideal para el uso en muchos usos del poder, donde el interruptor bajo en resistencia permite a niveles de la eficacia ser logrado.

Hay varias diversas variedades de MOSFET del poder disponibles de diversos fabricantes, de cada uno con sus propias características y de capacidades.

Muchos MOSFETs del poder incorporan una topología vertical de la estructura. Esto permite la transferencia de gran intensidad con eficacia alta dentro de un relativamente pequeño muere área. También permite al dispositivo apoyar la transferencia de gran intensidad y del voltaje.

 

Descripción del Pin de la característica del transistor de efecto de campo del MOS


-100V/-10A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 187mΩ GS = -10V
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 208mΩ GS = -4.5V
100%Avalanche probado
Confiable y rugoso
Halógeno libre y DevicesAvailable verde
(RoHSCompliant)

 

Usos del transistor de efecto de campo del MOS


Gestión del poder para los sistemas del inversor

 

Información que ordena y de marcado


Código del paquete


D: TO-252-2L U: TO-251-3L
Material de la asamblea del código de fecha
YYXXX WW G: El halógeno libera


Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y plateTermi- de la lata del mate del 100%
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define “verde”
para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso en homogéneo
material y total del Br y del Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
- oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso

 

Grados máximos absolutos

 

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P 0

Nota: * grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de max.junction.
** Limitado por T J máximo, comenzando T J =25°C, L = 0.5mH, VD=-80V, V GS =-10V.

 

Características eléctricas (Tc =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P 1

Características eléctricas (Cont.) (Tc =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P 2

Nota: prueba del *Pulse, pulsewidth≤ 300us, dutycycle≤ el 2%

 

V transistor de efecto de campo del MOS de las configuraciones N/modo del aumento del canal de P 3

 

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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