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Datos del producto:
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Nombre del producto: | Poder del Mosfet del canal N | modelo: | AP3N10BI |
---|---|---|---|
Marcado: | MA4 | Paquete: | SOT23 |
Voltaje de la VDSDrain-fuente: | 100V | Voltaje del rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Tensión 100V del transistor de poder del Mosfet del canal N del modo del aumento baja
Poder del Mosfet del canal N Funcionamiento y características
La construcción del MOSFET del poder está en V-configuraciones, como podemos ver en la figura siguiente. Así el dispositivo también se llama como el V-MOSFET o el V-FET. El v que la forma del MOSFET del poder se corta para penetrar de la superficie del dispositivo casi está al substrato de N+ al N+, al P, y a la N – capas. La capa de N+ es la capa pesadamente dopada con un material resistente bajo y la capa de la n es una capa ligeramente dopada con la alta región de la resistencia.
Características del poder del Mosfet del canal N
VDS= 100V I D=2.8 A
RDS (ENCENDIDO)< 320m="">
Uso del poder del Mosfet del canal N
Protección de la batería
Sistema de alimentación ininterrumpida
Marca del paquete e información el ordenar
Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Grados máximos absolutos (TC=25℃ salvo especificación de lo contrario)
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V |
VGS | Voltaje del rce de la puerta-Sou | ±20 | V |
ID@TA =25℃ | Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 | 2,8 | A |
ID@TA =70℃ | Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 | 1 | A |
IDM | Dren pulsado Current2 | 5 | A |
℃ de PD@TA =25 | Poder total Dissipation3 | 1 | W |
TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
RθJA | Resistencia termal 1 Empalme-ambiente | 125 | ℃/W |
RθJC | Empalme-caso 1 de la resistencia termal | 80 | ℃/W |
Características eléctricas (℃ de TJ =25, a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (ENCENDIDO) | En-resistencia estática de la Dren-fuente | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | UA |
IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | UA |
IGSS | Corriente de la salida de la Puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconductancia delantera | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Carga total de la puerta (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Carga del Puerta-dren | --- | 1,7 | 2,4 | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
ns |
Tr | ||||||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Tiempo de caída | --- | 19 | 38 | ||
CISS | Capacitancia de la entrada | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacitancia de salida | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | --- | 16,4 | 23 | ||
ES | Corriente de fuente continua 1,4 | VG=VD=0V, corriente de la fuerza | --- | --- | 1,2 | A |
ISMO | Corriente de fuente pulsada 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | El diodo remite Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tiempo de recuperación reversa | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | nS |
Qrr | Carga reversa de la recuperación | --- | 9,3 | --- | nC |
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (ENCENDIDO) | En-resistencia estática de la Dren-fuente | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | UA |
IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | UA |
IGSS | Corriente de la salida de la Puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconductancia delantera | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Carga total de la puerta (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Carga del Puerta-dren | --- | 1,7 | 2,4 | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
ns |
Tr | ||||||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Tiempo de caída | --- | 19 | 38 | ||
CISS | Capacitancia de la entrada | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacitancia de salida | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | --- | 16,4 | 23 | ||
ES | Corriente de fuente continua 1,4 | VG=VD=0V, corriente de la fuerza | --- | --- | 1,2 | A |
ISMO | Corriente de fuente pulsada 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | El diodo remite Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Tiempo de recuperación reversa | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | nS |
Qrr | Carga reversa de la recuperación | --- | 9,3 | --- | nC |
Nota:
los datos 1.The probaron por la superficie montada en un tablero de 1 pulgada FR-4 con el cobre 2OZ. los datos 2.The probaron por pulsado, la anchura de pulso ≦300us, ciclo de trabajo el ≦2%
la disipación de poder 3.The es limitada por temperatura de empalme de 150 ℃
4. Los datos son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total.
Símbolo |
Dimensiones en milímetros | |
MÍNIMO. | MÁXIMO. | |
A | 0,900 | 1,150 |
A1 | 0,000 | 0,100 |
A2 | 0,900 | 1,050 |
b | 0,300 | 0,500 |
c | 0,080 | 0,150 |
D | 2,800 | 3,000 |
E | 1,200 | 1,400 |
E1 | 2,250 | 2,550 |
e | 0.950TYPE | |
e1 | 1,800 | 2,000 |
L | 0.550REF | |
L1 | 0,300 | 0,500 |
θ | 0° | 8° |
Atención
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Persona de Contacto: David