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Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio

Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio
Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio

Ampliación de imagen :  Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP6H03S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio

descripción
Nombre de producto: Conductor del Mosfet que usa el transistor modelo: AP6H03S
Paquete: SOP-8 Marcado: AP6H03S YYWWWW
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 30v Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±20A
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Conductor del Mosfet de AP6H03S que usa el transistor, alto transistor durable del amperio

 

Conductor del Mosfet que usa la descripción del transistor:

 

El foso avanzado de AP6H03Suses
tecnología para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta.
Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a
el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro
usos

 

Conductor del Mosfet que usa características del transistor

Canal N
VDS = 30V, IDENTIFICACIÓN =7.5A
Canal N del RDS (ENCENDIDO < 16m=""> )
VDS = 30V, IDENTIFICACIÓN =7.5A
Poder más elevado del RDS (ENCENDIDO < 16m=""> ) y capacidad que da actual
Se adquiere el producto sin plomo
Paquete superficial del soporte

 

Conductor del Mosfet que usa el uso del transistor


Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Sistema de alimentación ininterrumpida del ●

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP6H03S SOP-8 AP6H03S YYWWWW 3000

 

Grados máximos absolutos Tc=25℃ a menos que se indicare en forma diferente

 

 

Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 30 V
VGS Voltaje del rce de la puerta-Sou ±20 V

 

D

I

Corriente del dren – continua (TC=25℃) 7,5 A
Corriente del dren – continua (TC=100℃) 4,8 A
IDM Corriente del dren – Pulsed1 30 A
EAS Sola energía 2 de la avalancha del pulso 14 mJ
IAS Sola corriente 2 de Avalanched del pulso 17 A

 

Paladio

Disipación de poder (TC=25℃) 2,1 W
Disipación de poder – reduzca la capacidad normal sobre 25℃ 0,017 W/℃
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150
Símbolo Parámetro Clasificación Unidades
VDS Voltaje de la Dren-fuente 30 V
VGS Voltaje del rce de la puerta-Sou ±20 V

 

D

I

Corriente del dren – continua (TC=25℃) 7,5 A
Corriente del dren – continua (TC=100℃) 4,8 A
IDM Corriente del dren – Pulsed1 30 A
EAS Sola energía 2 de la avalancha del pulso 14 mJ
IAS Sola corriente 2 de Avalanched del pulso 17 A

 

Paladio

Disipación de poder (TC=25℃) 2,1 W
Disipación de poder – reduzca la capacidad normal sobre 25℃ 0,017 W/℃
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -55 a 150

 

Características termales

 

Símbolo Parámetro Tipo. Máximo. Unidad
RθJA Empalme de la resistencia termal a ambiente --- 60 ℃/W

 

Características eléctricas (de TJ =25, a menos que se indicare en forma diferente) de características

 

 

Símbolo Parámetro Condiciones Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△ BVDSS/△ TJ Coeficiente de temperatura de BVDSS Referencia a 25℃•, ID=1mA --- 0,04 --- V/℃

 

IDSS

 

Corriente de la salida de la Dren-fuente

VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 UA
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ --- --- 10 UA
IGSS Corriente de la salida de la Puerta-fuente VGS=± 20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
Símbolo Parámetro Condiciones Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad
BVDSS Voltaje de avería de la Dren-fuente VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△ BVDSS/△ TJ Coeficiente de temperatura de BVDSS Referencia a 25℃•, ID=1mA --- 0,04 --- V/℃

 

IDSS

 

Corriente de la salida de la Dren-fuente

VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 UA
VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ --- --- 10 UA
IGSS Corriente de la salida de la Puerta-fuente VGS=± 20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA

 

RDS (ENCENDIDO) En-resistencia estática de la Dren-fuente VGS=10V, ID=6A --- 15 20
VGS=4.5V, ID=3A --- 23 30
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta VGS=VDS, I =250UA 1,2 1,5 2,5 V
△VGS (th) Coeficiente de temperatura de VGS (th) --- -4 --- mV/℃
gfs Transconductancia delantera VDS=10V, I D=6A --- 13 --- S

 

Qg Puerta total Charge3, 4   --- 4,1 8  
Qgs Carga 3, 4 de la Puerta-fuente --- 1 2
Qgd Carga del Puerta-dren --- 2,1 4
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura 3, 4   --- 2,6 5  
Tr Tiempo de subida --- 7,2 14
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado 3, 4 --- 15,8 30
Tf Tiempo de caída 3, 4 --- 4,6 9
CISS Capacitancia de la entrada   --- 345 500  
Coss Capacitancia de salida --- 55 80
Crss Capacitancia reversa de la transferencia --- 32 55
Rg Resistencia de la puerta VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz --- 3,2 6,4 Ω

 

ES Corriente de fuente continua

 

VG=VD=0V, corriente de la fuerza

--- --- 7,5 A
ISMO Corriente de fuente pulsada --- --- 30 A
VSD El diodo remite Voltage3 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

rr

t

Tiempo de recuperación reversa VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs --- --- --- ns
Qrr Carga reversa de la recuperación --- --- --- nC
ES Corriente de fuente continua

 

VG=VD=0V, corriente de la fuerza

--- --- 7,5 A
ISMO Corriente de fuente pulsada --- --- 30 A
VSD El diodo remite Voltage3 VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

rr

t

Tiempo de recuperación reversa VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs --- --- --- ns
Qrr Carga reversa de la recuperación --- --- --- nC

 

El soldar de flujo

La opción del método de calefacción se puede influenciar por el paquete plástico de QFP). Si se utiliza el infrarrojo o la calefacción de la fase de vapor y el paquete no es absolutamente seco (menos de 0,1% contenidos de agua por peso), la vaporización de la pequeña cantidad de humedad en ellos puede causar agrietarse del cuerpo plástico. El precalientamiento es necesario secar la goma y evaporar el agente astringente. Duración del precalientamiento: 45 minutos en 45 °C.

 

El soldar de flujo requiere la goma de la soldadura (una suspensión de las partículas finas de la soldadura, del flujo y del agente astringente) para ser aplicado al tablero del circuito impreso por la impresión, estarcir o la presión-jeringuilla de la pantalla dispensando antes de la colocación del paquete. Varios métodos existen para reflowing; por ejemplo, convección o convección/calefacción infrarroja en un tipo horno del transportador. Los tiempos de la producción (precalientamiento, soldando y refrescándose) varían entre 100 y 200 segundos dependiendo de método de calefacción.

 

°C típico de la gama de temperaturas del pico del flujo de 215 a 270 dependiendo del material de la goma de la soldadura. La top-superficie

temperatura de los paquetes si preferible ser guardado debajo del °C 245 para densamente/los paquetes grandes (paquetes con un grueso

2,5 milímetros o con un volumen paquetes gruesos de 350 milímetros supuestos/grandes). La temperatura de la top-superficie de los paquetes si preferible ser guardado debajo del °C 260 para los paquetes finos/pequeños (paquetes con un grueso < 2="">

 

1' Ram del st encima de la tarifa max3.0+/-2 /sec -
Precaliente 150 ~200 sec 60~180
2' Ram del nd para arriba max3.0+/-2 /sec -
Junta de la soldadura 217 arriba sec 60~150
Temporeros máximos 260 +0/-5 sec 20~40
Del Ram tarifa abajo 6 /sec máximo -

El soldar de la onda:

El solo soldar convencional de la onda no se recomienda para los dispositivos superficiales (SMDs) del soporte o los tableros del circuito impreso con una alta densidad componente, pues el enlace y la no-adherencia de soldadura de la soldadura pueden presentar problemas graves.

 

El soldar del manual:

Fije el componente primero soldando dos ventajas diagonal-opuestas del extremo. Utilice un bajo soldador de la tensión (24 V o menos) aplicado a la parte plana de la ventaja. El tiempo del contacto se debe limitar a 10 segundos en hasta 300 °C. Al usar una herramienta dedicada, el resto de las ventajas se pueden soldar en una operación en el plazo de 2 a 5 segundos entre 270 y 320 °C.

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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