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Datos del producto:
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Number modelo:: | AP2N1K2EN1 | Tipo del proveedor: | Fabricante original, Odm, agencia, minorista |
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Marca:: | Marca original | Tipo del paquete: | SOT-723 (N1) |
D/C: | El más nuevo | Descripción:: | Transistor |
Alta luz: | transistor del MOSFET 800mA,transistor del MOSFET 0.15W,AP2N1K2EN1 IC Chips Transistor |
Componente electrónico del transistor AP2N1K2EN1 del MOSFET/chips CI originales
Descripción
Las series de AP2N1K2E son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar la en-resistencia posible más baja y el funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.
El paquete SOT-723 con huella muy pequeña es conveniente para todo el uso superficial comercial-industrial del soporte.
Notas:
anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse
3.Surface montó en el cojín de cobre mínimo del tablero FR4
Este producto es sensible a la descarga electrostática, dirige por favor con cuidado.
Este producto no se autoriza para ser utilizado como componente crítico de un sistema de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales o de otros sistemas similares.
El APEC no será obligado para ninguna responsabilidad que se presenta del uso o el uso de cualquier producto o circuito describió en este acuerdo, ni asignará cualquier licencia bajo sus derechas de patente o asignará las derechas de otras.
El APEC se reserva la derecha de realizar cambios a cualquier producto en este acuerdo sin previo aviso de mejorar confiabilidad, la función o el diseño.
Símbolo | Parámetro | Grado | Unidades |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 20 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Drene la corriente3, VGS @ 2.5V | 200 | mA |
IDM | Corriente pulsada1del dren | 400 | mA |
IS@TA =25℃ | Corriente de fuente (diodo del cuerpo) | 125 | mA |
ISMO | Corriente de fuente pulsada1 (diodo del cuerpo) | 800 | mA |
PD@TA =25℃ | Disipación de poder total | 0,15 | W |
TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
Datos termales
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
Rthj-a | Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente | 833 | ℃/W |
AP2N1K2EN
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (ENCENDIDO) | En-resistencia estática2de la Dren-fuente | VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =200MA | - | - | 1,2 | Ω |
VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =200MA | - | - | 1,4 | Ω | ||
VGS =1.5V, IDENTIFICACIÓN =40MA | - | - | 2,4 | Ω | ||
VGS =1.2V, IDENTIFICACIÓN =20MA | - | - | 4,8 | Ω | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =1MA | 0,3 | - | 1 | V |
gfs | Transconductancia delantera | VDS =10V, IDENTIFICACIÓN =200MA | - | 1,8 | - | S |
IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | UA |
IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | UA |
Qg | Carga total de la puerta |
IDENTIFICACIÓN =200MA VDS =10V VGS =2.5V |
- | 0,7 | - | nC |
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 0,2 | - | nC | |
Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 0,2 | - | nC | |
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =10V | - | 2 | - | ns |
tr | Tiempo de subida | Identificación =150mA | - | 10 | - | ns |
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | RG =10Ω | - | 30 | - | ns |
tf | Tiempo de caída | .VGS =5V | - | 16 | - | ns |
CISS | Capacitancia entrada |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 44 | - | PF |
Coss | Capacitancia de salida | - | 14 | - | PF | |
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 10 | - | PF |
Diodo del Fuente-dren
Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
VSD | Remita en el voltaje2 | ES =0.13A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Persona de Contacto: David