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Datos del producto:
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| Number modelo:: | AP1332GEU-HF | Tipo:: | Componentes electrónicos |
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| Diodo:: | Transistor | Módulo de IGBT:: | Tubo de alta frecuencia |
| Inductor:: | LED | D/C:: | El más nuevo |
| Alta luz: | transistor de poder del Mosfet 2.5A,transistor de poder del Mosfet 0.35W,Transistor del Mosfet del diodo de AP1332GEU-HF |
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El precio de fábrica barato AP1332GEU-HF entra en contacto con por favor el negocio, es en el mismo día prevalecerá
Descripción
Las series AP1332 son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar el posible más bajo en resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.
Notas:
anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse.
3.Surface montó en FR4 el tablero, sec del ≦ 10 de t.
Ratings@Tj máximo absoluto =25.oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Grado | Unidad |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 20 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene la corriente3, VGS @ 4.5V | 600 | mA |
| ID@TA =70℃ | Drene la corriente3, VGS @ 4.5V | 470 | mA |
| IDM | Corriente pulsada1del dren | 2,5 | |
| PD@TA =25℃ | Disipación de poder total | 0,35 | W |
| TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
Datos termales
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| Rthj-a | Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente | 360 | ℃/W |
AP1332GEU-H
Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (ENCENDIDO) | En-resistencia estática2de la Dren-fuente | VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =600MA | - | - | 0,6 | Ω |
| VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =300MA | - | - | 2 | Ω | ||
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
| gfs | Transconductancia delantera | VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =600MA | - | 1 | - | S |
| IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | UA |
| IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | UA |
| Qg | Carga total de la puerta |
IDENTIFICACIÓN =600MA VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,3 | 2 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 0,3 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 0,5 | - | nC | |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
IDENTIFICACIÓN =600MA RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 21 | - | ns |
| tr | Tiempo de subida | - | 53 | - | ns | |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | - | 100 | - | ns | |
| tf | Tiempo de caída | - | 125 | - | ns | |
| CISS | Capacitancia entrada |
VGS =0V V.DS=10V f=1.0MHz |
- | 38 | 60 | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 17 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 12 | - | PF |
Diodo del Fuente-dren
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
| VSD | Remita en el voltaje2 | ES =300MA, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
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