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Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN
Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN

Ampliación de imagen :  Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: A92
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN

descripción
Voltaje de la Colector-Base: -310V Tipo: Transistor del triodo
Caso: Cinta/bandeja/carrete Materiales: silicio
Corriente de colector: -200 mA Disipación de poder del colector: 500mW
Alta luz:

transistor de alta frecuencia

,

transistor del interruptor

SOT-89-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A92 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Voltaje de saturación bajo del Colector-emisor

Alto voltaje de avería

 

Marcado: A92

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VCBO Voltaje de la Colector-base -310 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor -305 V
VEBO Voltaje de la Emisor-base -5 V
IC Corriente de colector continua -200 mA
ICM Corriente de colector - pulsada -500 mA
PC Disipación de poder del colector 500 mW
RθJA Resistencia termal del empalme a ambiente 250 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
voltaje de avería de la Colector-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, ES DECIR =0 -310     V
voltaje de avería del Colector-emisor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -305     V
voltaje de avería de la Emisor-base V (BR) EBO ES DECIR =-100ΜA, IC=0 -5     V

 

Corriente de atajo de colector

ICBO VCB=-200V, ES DECIR =0     -0,25 µA
 

 

ICEO

VCE=-200V, IB=0     -0,25 µA
    VCE=-300V, IB=0     -5 µA
Corriente del atajo del emisor IEBO VEB=-5V, IC=0     -0,1 µA

 

Aumento actual de DC

hFE (1) VCE=-10V, IC=-1mA 60      
  hFE (2) VCE=-10V, IC=-10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=-10V, IC=-80mA 60      
voltaje de saturación del Colector-emisor VCE (sentado) IC=-20mA, IB=-2mA     -0,2 V
Voltaje de saturación del emisor de base VBE (sentado) IC=-20mA, IB=-2mA     -0,9 V
Frecuencia de la transición fT VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz 50     Megaciclo

 
 
 

Características típicas

 

 

 

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 0

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 1

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 2

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 3

 

 


 

 
 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERENCIA. 0,061 REFERENCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Disposición sugerida SOT-89-3L del cojín

 

Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 4
 
Cinta y carrete de SOT-89-3L
Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 5
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Transistor de gran intensidad de A92 NPN, transistor del silicio del poder más elevado NPN 7
 
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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