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Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales
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Ampliación de imagen :  Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: BAW56/BAV70/BAV9
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales

descripción
Tipo: TRANSFERENCIA DIODESOD Aplicación: Transferencia de fines generales
Transistor del Mosfet del poder: Plástico-EncapsulateDiodes SOD-123 Temperatura de almacenamiento: -55~+150℃
Identificación del producto: BAW56/BAV70/BAV9 Corriente máxima del pulso: 2A
Alta luz:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

El DIODO de TRANSFERENCIA BAW56/BAV70/BAV9 SOD-123 Plástico-encapsula los diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
Velocidad de transferencia rápida
Para los usos de fines generales de la transferencia
TRANSFERENCIA DIODESOD

Marcado 

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales 0

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales 1

 

ElectricalCharacteristics@Ta =25℃

 

Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales 2

 

 

Characterisitics típico

 Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales 3Transistor de poder del silicio BAW56/BAV70/BAV9 para la transferencia de fines generales 4
  
 
 
 Dimensiones del esquema del paquete
 

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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