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Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

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Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: HXY4616
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Tipo: Transistor del Mosfet
Identificación del producto: 20G04S VDS: 40V
Características: Paquete superficial del soporte VGS: ±20V
Alta luz:

high current mosfet switch

,

high voltage transistor

MOSFET complementario de HXY4616 30V

 

Descripción

 

Las aplicaciones HXY4616 avanzadas trench tecnología al RDS provideexcellent (ENCENDIDO) y a la carga baja de la puerta. Thiscomplementary N y P canaliza los configurationis del MOSFET ideales para los usos bajos del inversor del voltaje de entrada.

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V 0

 

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V 1

 

 

Características eléctricas del canal N (T=25°C a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V 2
 

A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en el 1in A =25°C. que el valor en cualquier uso dado depende del tablero específico del tablero design.2 FR-4 del usuario con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T

B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s. C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar el initialTJ=25°C.

D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo ratin G. del pulso.

 

Canal N: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
 
 
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Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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