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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Tipo: | Transistor del Mosfet |
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| Identificación del producto: | 20G04S | VDS: | 40V |
| Características: | Paquete superficial del soporte | VGS: | ±20V |
| Alta luz: | interruptor de gran intensidad del mosfet,transistor de alto voltaje |
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MOSFET complementario de HXY4616 30V
Descripción
Las aplicaciones HXY4616 avanzadas trench tecnología al RDS provideexcellent (ENCENDIDO) y a la carga baja de la puerta. Thiscomplementary N y P canaliza los configurationis del MOSFET ideales para los usos bajos del inversor del voltaje de entrada.
A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en el 1in A =25°C. que el valor en cualquier uso dado depende del tablero específico del tablero design.2 FR-4 del usuario con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T
B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s. C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar el initialTJ=25°C.
D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.
E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300>
F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente que se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo ratin G. del pulso.
Persona de Contacto: David
