Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Temperatura de empalme::150℃
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
RDS (ENCENDIDO):136mΩ
Función:Paquete superficial del soporte
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Aplicación:Transferencia de alta frecuencia
Materiales:silicio
Nombre del producto:transistor de poder del mosfet
Transistor del Mosfet del poder:SOT-23 Plástico-encapsulan
TJ:150℃