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Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43

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transistor de poder del mosfet

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Triodo del semiconductor

(9)

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Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43

Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43
Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43 Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43

Ampliación de imagen :  Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: BZT52C2V4-BZT52C43
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43

descripción
Tipo: Diodos Zener planares del poder del silicio RTHA: 357K/W
vf: 0.9V Paladio: 357℃/W
Identificación del producto: DIODO ZENER BZT52C2V4-BZT52C43 TJ: 150℃
Alta luz:

alto diodo Zener del vatiaje

,

diodo Zener de la precisión

Diodos Zener planares del poder del silicio 1N4727A~1N4761A

 

CARACTERÍSTICAS:

 

Planar muere la construcción

PWB de cerámica de Dissipationon del poder 350mW
Fines generales, corriente media
Adaptado idealmente para los procesos automatizados de asamblea
Disponible en la versión sin plomo

 

 
Grados máximos absolutos (Ta=25℃)
 
Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43 0
 

Características en Ta=25℃)

 

Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43 1

 

 
Características del dowm de la rotura
 
 
 
 
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Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43 3Corriente media del paladio 357℃/W del diodo Zener VF 0.9V del poder BZT52C2V4-BZT52C43 4
 
 
 
 
 
 
 

etiqueta:

alto diodo Zener del vatiaje,

diodo Zener de la precisión,

diodo Zener del poder más elevado

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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