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MMBD1501A se doblan conductancia del diodo bajo de la salida del diodo de transferencia alta

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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MMBD1501A se doblan conductancia del diodo bajo de la salida del diodo de transferencia alta

MMBD1501A se doblan conductancia del diodo bajo de la salida del diodo de transferencia alta
MMBD1501A se doblan conductancia del diodo bajo de la salida del diodo de transferencia alta

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Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: MMBD1501A
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

MMBD1501A se doblan conductancia del diodo bajo de la salida del diodo de transferencia alta

descripción
Identificación del producto: MMBD1501A Función: Alta conductancia
Tipo: Diodo de transferencia dual Corriente delantera máxima: 700mA
Alta luz:

high voltage switching diode

,

dual series switching diode

El DIODO BAJO SOT-23 de la SALIDA de MMBD1501A Plástico-encapsula los diodos

 

CARACTERÍSTICAS

 

  • Salida baja
  • Alta conductancia

 

GRADOS MÁXIMOS (Tun =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo Parámetro Valor Unidad
VR Voltaje de bloqueo de DC 200 V
IO Corriente delantera continua 200 mA
IFM Corriente delantera máxima 700 mA
IFSM Sobretensión delantera máxima sin repetición @t=8.3ms 2,0 A
Paladio Disipación de poder 350 mW
RθJA Resistencia termal del empalme a ambiente 357 ℃/W
Tj Temperatura de empalme 150
Tstg Temperatura de almacenamiento -55~+150

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tun =25℃ salvo especificación de lo contrario)

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
Voltaje reverso V (BR) IR=5μA 200     V
Corriente reversa IR VR=180V     10 nA

 

 

 

Voltaje delantero

 

 

 

VF

IF=1mA     0,75

 

 

 

V

IF=10mA     0,85
IF=50mA     0,95
IF=100mA     1,1
IF=200mA     1,3
IF=300mA     1,5
Capacitancia total Ctot VR=0V, f=1MHz     4 PF

 

 


Dimensiones del esquema del paquete SOT-23

Símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERENCIAS 0,022 REFERENCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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