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Datos del producto:
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| Tipo: | Transistor de poder del silicio | Función: | En-resistencia equivalente baja |
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| Voltaje del Colector-Emisor: | 60V | Temperatura de almacenamiento: | -55~+150℃ |
| Disipación de poder del colector: | 250mW | Corriente máxima del pulso: | 2A |
| Alta luz: | transistor de alta frecuencia,transistores del mosfet del poder |
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SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores FMMT491 (NPN)
En-resistencia equivalente baja
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | 80 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 60 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 5 | V |
| IC | Corriente de colector | 1 | A |
| ICM | Corriente máxima del pulso | 2 | A |
| PC | Disipación de poder del colector | 250 | mW |
| RΘJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 500 | ℃/W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=100μA, ES DECIR =0 | 80 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | CEO V (BR)1 | IC=10mA, IB=0 | 60 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=60V, ES DECIR =0 | 0,1 | μA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Aumento actual de DC | hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | VCE=5V, IC=500mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | VCE=5V, IC=1A | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | VCE=5V, IC=2A | 30 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) 1 1 | IC=500mA, IB=50mA | 0,25 | V | ||
| VCE (sentado) 2 1 | IC=1A, IB=100mA | 0,5 | V | |||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) 1 | IC=1A, IB=100mA | 1,1 | V | ||
| Voltaje del emisor de base | 1 VBE | VCE=5V, IC=1A | 1 | V | ||
| Frecuencia de la transición | pie | VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz | 150 | Megaciclo | ||
| Capacitancia de salida del colector | Mazorca | VCB=10V, f=1MHz | 10 | PF |
Medido bajo condiciones pulsadas, pulso width=300μs, deber el cycle≤2%.
Characterisitics típico
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
| E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
| e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
| e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REFERENCIAS | 0,022 REFERENCIAS | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Persona de Contacto: David
