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Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
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Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA
Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

Ampliación de imagen :  Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: 2SD965A
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA

descripción
Voltaje de la Colector-Base: 40V Corriente de colector - continua: 5A
Tstg: -55~+150℃ Materiales: silicio
Corriente de colector: 600 mA Temperatura de almacenamiento: -55~+150℃
Alta luz:

transistor de alta frecuencia

,

transistor del interruptor

SOT-89-3L Plástico-encapsulan los transistores 2SD965A 2SD965A

 

 

CARACTERÍSTICA
  • Amplificador audio
  • Unidad de destello de cámara
  • Circuito de la transferencia

 

Marcado: D965A

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 

SímboloParámetroValorUnidad
VCBOVoltaje de la Colector-base-60V
VCEOVoltaje del Colector-emisor-60V
VEBOVoltaje de la Emisor-base-4V
ICCorriente de colector-500mA
PCDisipación de poder del colector225mW
RΘJAResistencia termal del empalme a ambiente556℃/W
TjTemperatura de empalme150
TstgTemperatura de almacenamiento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
 

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaMinutoTipoMáximoUnidad
voltaje de avería de la Colector-baseV (BR) CBOIC=0.1mA, ES DECIR =040  V
voltaje de avería del Colector-emisor(BR) CEO VIC= 1mA. IB=030  V
voltaje de avería de la Emisor-baseV (BR) EBOES DECIR = 10μA, IC=07  V
Corriente de atajo de colectorICBOVCB= 10V, ES DECIR =0  0,1μA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB=7V, IC=0  0,1μA

 
 

Aumento actual de DC

hFE (1)VCE= 2 V, IC=1mA 200  
 hFE (2)VCE= 2V, IC = 500mA230 800 
 hFE (3)VCE= 2V, IC =2A150   
voltaje de saturación del Colector-emisorVCE (sentado)IC=3A, IB=0.1A  1V
Frecuencia de la transiciónfTVCE=6V, IC=50mA 150 Megaciclo
Hacia fuera capacitanciaMazorcaVCB=20 V, ES DECIR =0, f=1MHZ  50PF

 
 
 
 

CLASIFICACIÓN DEFEde h(2)

 

 

FilaQRS
Gama230-380340-600560-800

 
 
 

 

 Dimensiones del esquema del paquete
 

SímboloDimensiones en milímetrosDimensiones en pulgadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERENCIAS0,022 REFERENCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA 0
 
 
 
Cinta y carrete de SOT-89-3L
Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA 1
Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA 2
Corriente de colector material del silicio del transistor de poder del silicio 2SD965A 600 mA 3
 
 
 
 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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