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Datos del producto:
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| Tipo: | Transistor del efecto de campo | Nombre de producto: | AP6982GN2-HF |
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| Calidad: | original | Uso: | Aparatos electrodomésticos |
| Logotipo: | modificado para requisitos particulares | Vth:: | 0.7V |
| Alta luz: | módulo del Mosfet del transistor 2.4W,módulo del Mosfet del transistor 10mr,Transistor de efecto de campo de AP6982GN2-HF |
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Alternativa del mosfet del transistor de G2012 20V 12A 10mr para AP6982GN2-HF
Descripción:
Las series AP6982 son de poder avanzado innovaron diseño y
¿tecnología de proceso del silicio para alcanzar el posible más bajo encendido? resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Proporciona
diseñador con un dispositivo eficiente extremo para el uso en un ancho
gama de usos del poder.
Ratings@Tj máximo absoluto =25o.C (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Grado | Unidades |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 20 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Dren continuo3 @ VGS actuales =4.5V | 11 | |
| ID@TA =70℃ | Dren continuo3 @ VGS actuales =4.5V | 8,7 | |
| IDM | Corriente pulsada1del dren | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Disipación de poder total3 | 2,4 | W |
| TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| Rthj-a | Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente | 52 | ℃/W |
Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (ENCENDIDO) | En-resistencia estática2de la Dren-fuente | VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =10A | - | 9,3 | 12,5 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =5A | - | 11,3 | 16 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICACIÓN =2A | - | 15 | 21 | mΩ | ||
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 0,3 | 0,5 | 1 | V |
| gfs | Transconductancia delantera | VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =10A | - | 34 | - | S |
| IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | UA |
| IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total de la puerta |
Identificación =10A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 22 | 35,2 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 2,5 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 7 | - | nC | |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =10V | - | 9 | - | ns |
| tr | Tiempo de subida | Identificación =1A | - | 13 | - | ns |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | RG =3.3Ω | - | 40 | - | ns |
| tf | Tiempo de caída | VGS =5V | - | 10 | - | ns |
| CISS | Capacitancia entrada |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 1500 | 2400 | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 170 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 155 | - | PF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | f=1.0MHz | - | 2 | 4 | Ω |
Diodo del Fuente-dren
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Remita en el voltaje2 | ES =2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tiempo de recuperación reversa |
ES =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 11 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | - | 5 | - | nC |
Notas:
Este producto es sensible a la descarga electrostática, dirige por favor con cuidado.
Este producto no se autoriza para ser utilizado como componente crítico de un sistema de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales o de otros sistemas similares.
El APEC no será obligado para ninguna responsabilidad que se presenta del uso o el uso de cualquier producto o circuito describió en este acuerdo, ni asignará cualquier licencia bajo sus derechas de patente o asignará las derechas de otras.
El APEC se reserva la derecha de realizar cambios a cualquier producto en este acuerdo sin previo aviso de mejorar confiabilidad, la función o el diseño.
Persona de Contacto: David
