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HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet

(118)

Transistores de poder de la extremidad

(30)

Transistor de poder del silicio

(19)

Diodo de transferencia dual

(15)

Transistor de efecto de campo del MOS

(29)

Mosfet en doble canal

(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación

(6)

diodo Zener del poder

(6)

puente rectificador de Schottky

(10)

diodo de rectificador de alto voltaje

(15)

Triodo del semiconductor

(9)

Estabilizador IC del voltaje

(14)
Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula

HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula
HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula

Ampliación de imagen :  HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: HXY2312
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Temperatura de empalme:: 150℃
Materiales: silicio Número de modelo: HXY2312
Caso: Cinta/bandeja/carrete Tipo: Transistor del Mosfet
Alta luz:

transistor de gran intensidad

,

interruptor del mosfet de la lógica

 
 
SOT-23 Plástico-encapsulan el MOSFET del canal N 20-V (D-S) de los MOSFETS HXY2312
 

 

Resumen del producto

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
RDS (encendido) <32 m="">
RDS (encendido) <40 m="">
 
 
CARACTERÍSTICA 
 
MOSFET del poder de TrenchFET
 
 
USO
 
 
Convertidores de DC/DC
Transferencia de la carga para los usos portátiles
 
 
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula 0
 
T =25 un ℃ salvo especificación de lo contrario
 
HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula 1
 
HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula 2HXY2312 el plástico del transistor de efecto de campo del MOS del canal N 20-V (D-S) SOT-23 encapsula 3

etiqueta:

interruptor del mosfet de la lógica,

conductor del mosfet que usa el transistor,

transistor de gran intensidad

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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