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Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder

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Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder

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Ampliación de imagen :  Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: MBR2030,35,40,45,50FCT
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder

descripción
Tipo: Microprocesador de la barrera de Schottky La media rectificó la corriente de salida: 20A
Voltaje reverso máximo de trabajo: 30-60V Disipación de poder: 2w
Identificación del producto: MBR2030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT Temperatura de empalme de Tj: ℃ 125
Alta luz:

puente rectificador del diodo de Schottky

,

diodo de rectificador de la barrera de Schottky

MBR2030,35,40,45,50FCT TO-220F Plástico-encapsulan los diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
Microprocesador de la barrera de Schottky
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
El anillo de guardia muere construcción para la protección transitoria
Alta capacidad de oleada
Capacidad de gran intensidad y caída de voltaje delantera baja
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder 0
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder 1
 
 
Características típicas
Defina la capacidad de gran intensidad del diodo MBR2030,35,40,45,50FCT de Schottky del poder 2
 
 
 
 

etiqueta:

diodo de rectificador de la barrera de Schottky,

puente rectificador del diodo de Schottky,

defina el diodo de Schottky

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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