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Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W

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transistor de poder del mosfet

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puente rectificador de Schottky

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Triodo del semiconductor

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Estabilizador IC del voltaje

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Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W

Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W
Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W

Ampliación de imagen :  Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: MBR3045CT
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1000-2000 PC
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día
Contacto

Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W

descripción
Transistor del Mosfet del poder: TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos Tipo: Microprocesador de la barrera de Schottky
Disipación de poder: 2 W IO: 10A
Identificación del producto: MBR3045CT Tstg: -55~+150
Alta luz:

puente rectificador del diodo de Schottky

,

defina el diodo de Schottky

MBR2030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT TO-220-3L Plástico-encapsulan los diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
Microprocesador de la barrera de Schottky
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
El anillo de guardia muere construcción para la protección transitoria
Alta capacidad de oleada
Capacidad de gran intensidad y caída de voltaje delantera baja
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W 0
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W 1
 
 
Características típicas
 
Capacidad de oleada de la disipación de poder del puente rectificador de MBR3045CT Schottky alta 2 W 2
 
 

etiqueta:

diodo de rectificador de la barrera de Schottky,

puente rectificador del diodo de Schottky,

defina el diodo de Schottky

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

transistor de poder del mosfet

Transistor del nivel de la lógica HXY4616, MOSFET complementario de alto voltaje del transistor 30V

Alto voltaje VDS 40V VGS ±20v del transistor de poder del Mosfet HXY4616 ±20v VGS

MOSFET del modo del aumento del canal del transistor de poder del Mosfet de 20G04S 40V N+P

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