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Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia

Name: Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 4504P-B

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

—— -- Виктор de Rusia

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Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia

Ampliación de imagen : Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	4504P-B

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	negociación
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia

descripción

Nombre del producto:	Transistor de efecto de campo	V voltaje de la Dren-fuente del DSS:	40V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS:	±20 V	Temperatura de empalme máxima de T J:	°C 175
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG:	°C -55 a 150	I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo):	250A
Alta luz:	interruptor del mosfet de la lógica , conductor del mosfet que usa el transistor

Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia

Característica del transistor de efecto de campo

40V/250A
R DS (ENCENDIDO) =  de m (tipo.) @ V GS =10V

avalancha 100% probada

Reliableand rugoso
Ventaja FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)

Usos del transistor de efecto de campo

Uso de la transferencia

Gestión del poder para los sistemas del inversor

Grados máximos absolutos

Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia 0

Transistor de efecto de campo/Mosfet confiables y rugosos el de alta frecuencia 1

etiqueta:

Persona de Contacto: David

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