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Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

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Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia

Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia
Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia

Ampliación de imagen :  Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: G023N03LR1D-U-V
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet V voltaje de la Dren-fuente del DSS: 30 V
V voltaje de la Puerta-fuente de GSS: ±20 V Temperatura de empalme máxima de T J: °C -55 a 175
Gama de temperaturas de almacenamiento de T STG: °C -55 a 175 I fuente de S Actual-continua (diodo del cuerpo): 110 A
Alta luz:

interruptor del mosfet de la lógica

,

conductor del mosfet que usa el transistor

Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia

 

Introducción del transistor de efecto de campo del MOS

 

Los MOSFETs del poder se utilizan normalmente en los usos donde los voltajes no exceden cerca de 200 voltios. Voltajes más altos no son tan fácilmente realizables. Donde se utilizan los MOSFETs del poder, es su punto bajo EN la resistencia que es particularmente atractiva. Esto reduce la disipación de poder que reduce coste y clasifica menos trabajo de metalistería y se requiere el enfriamiento. También el punto bajo EN resistencia significa que los niveles de la eficacia se pueden mantener en un de alto nivel.

 

Característica del transistor de efecto de campo del MOS

 

30V/110A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 2.1mΩ GS = 10V
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 2.7mΩ GS = 4.5V
Avalancha 100% probada
Confiable y rugoso
Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles

 

Usos del transistor de efecto de campo del MOS

 

Uso de la transferencia

Protección de la batería

Gestión del poder para DC/DC

 

Información que ordena y de marcado

 

D U V

G023N03 G023N03 G023N03

 

Código del paquete
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S

 

Código de fecha

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y plateTermi- de la lata del mate del 100%
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define “verde”
para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso en homogéneo
material y total del Br y del Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
- oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia 0

Transistor de efecto de campo modificado para requisitos particulares del MOS del tamaño con punto bajo EN resistencia 1

 

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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