|
Datos del producto:
|
Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | VDSS: | 6,0 A |
---|---|---|---|
Número de modelo: | 8H02ETS | Aplicación: | Gestión del poder |
Función: | Carga baja de la puerta | Transistor del Mosfet del poder: | SOT-23-6L Plástico-encapsulan |
Alta luz: | interruptor de gran intensidad del mosfet,transistor de alto voltaje |
MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel
DESCRIPCIÓN
La tecnología avanzada del foso 8H02ETSuses a
proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y
operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.
CARACTERÍSTICAS GENERALES
VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A
8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28m="">
RDS (ENCENDIDO) < 26m="">
RDS (ENCENDIDO) < 22m="">
RDS (ENCENDIDO) < 20m="">
Grado del ESD: 2000V HBM
Uso
Protección de la batería
Gestión del poder del interruptor de la carga
Marca del paquete e información el ordenar
Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 20 | V |
Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±12 | V |
Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1) | Identificación | 7 | V |
Disipación de poder máxima | Paladio | 1,5 | W |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Persona de Contacto: David