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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | Transistor de efecto de campo del MOS | Función: | Tiempo rápido de la transferencia |
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| V DS: | 30V | 9,5 A: | (Vgs= 10V) |
| mΩ 12,9: | (Vgs= 10V) | mΩ 19,3: | (Vgs= 4.5V) |
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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Transistor de efecto de campo rápido del MOS del tiempo de la transferencia, transistor del interruptor
Descripción del transistor de efecto de campo del MOS
El transistor de efecto de campo del MOS se utiliza en muchos fuente de alimentación y los usos del poder general, especialmente como interruptores. La variante s incluye los MOSFETs planares, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs y otras diversas marcas de fábrica.
Característica del transistor de efecto de campo del MOS
N- Canal P - canal
Vds = 30V Vds = -30V
9,5 A (Vgs= 10V) - 8 A (Vgs= -10V)
mΩ 12,9 del mΩ (Vgs= 10V) 21,6 (Vgs= -10V)
mΩ 19,3 del mΩ (Vgs= 4.5V) 40,0 (Vgs= -4.5V)
avalancha 100% del probada
confiable y rugoso
halógeno del libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)
Usos del transistor de efecto de campo del MOS
Rectificadores síncronos
Poder inalámbrico
impulsión del motor del H-puente
Información que ordena y de marcado
S
G170C03
Código del paquete
S: SOP8L
Código de fecha
Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.
Grados máximos absolutos
Características de funcionamiento típicas N-Mosfet
Persona de Contacto: David
