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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
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| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| VDS: | -100V | Número de modelo: | 2N60 |
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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MOSFET del poder 2N60-TC3
2A, MOSFET del PODER del CANAL N 600V
El UTC 2N60-TC3 es un MOSFET de alto voltaje del poder y se diseña tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y tener características rugosas altas de una avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en los usos de alta velocidad de la transferencia en las fuentes de alimentación, controles de motor de PWM, alto DC eficiente a los convertidores de DC y a los circuitos de puente.
CARACTERÍSTICAS
RDS (ENCENDIDO) < 7="">
Alta velocidad de transferencia
| Número el ordenar | Paquete | Asignación de Pin | El embalar | |||
| Sin plomo | El halógeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 2N60L-TF1-T | 2N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 2N60L-TF3-T | 2N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
| 2N60L-TM3-T | 2N60G-TM3-T | TO-251 | G | D | S | Tubo |
QW-R205-461.A
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS de n (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 600 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ± 30 | V | |
| Drene la corriente | Continuo | ID | 2 | A |
| Pulsado (nota 2) | IDM | 4 | A | |
| Energía de la avalancha | Escoja pulsado (la nota 3) | EAS | 84 | mJ |
| Enarbole la recuperación del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Disipación de poder | TO-220F/TO-220F1 | PD | 23 | W |
| TO-251 | 44 | W | ||
| Temperatura de empalme | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Empalme a ambiente | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-251 | 100 | °C/W | ||
| Empalme al caso | TO-220F/TO-220F1 | θJC | 5,5 | °C/W |
| TO-251 | 2,87 | °C/W | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS de n (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD | |
| DE CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V, ID= 250μA | 600 | V | |||
| Corriente de la salida de la Dren-fuente | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | µA | |||
| Corriente de la salida de la Puerta-fuente | Delantero | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Revés | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| EN CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10V, ID=1.0A | 7,0 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | |||||||
| Capacitancia de la entrada | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 megaciclo |
190 | PF | |||
| Capacitancia de salida | COSS | 28 | PF | ||||
| Capacitancia reversa de la transferencia | CRSS | 2 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA | |||||||
| Carga total de la puerta (nota 1) | QG | VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (nota 1, 2) | 7 | nC | |||
| Carga de Gateource | QGS | 2,9 | nC | ||||
| Carga del Puerta-dren | QGD | 1,9 | nC | ||||
| Tiempo de retraso de abertura (nota 1) | TD (ENCENDIDO) |
VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (nota 1, 2) |
4 | ns | |||
| Tiempo de subida | tR | 16 | ns | ||||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | TD (APAGADO) | 16 | ns | ||||
| Caída-tiempo | tF | 19 | ns | ||||
| GRADOS Y CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DEL DREN DE LA FUENTE | |||||||
| Corriente continua del Cuerpo-diodo máximo | IS | 2 | A | ||||
| El Cuerpo-diodo máximo pulsó corriente | ISMO | 8 | A | ||||
| Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente (nota 1) | VSD | VGS=0V, IS=2.0A | 1,4 | V | |||
| Tiempo de recuperación reversa (nota 1) | trr |
VGS=0V, IS=2.0A, dIF/dt=100A/µs (Note1) |
232 | ns | |||
| Carga reversa de la recuperación | Qrr | 1,1 | µC | ||||
Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
