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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
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| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 5N60 | ||
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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MOSFET del PODER del CANAL N de 5N60 K-TCQ 5A 600V
El UTC 5N60K-TCQ es un MOSFET de alto voltaje del poder y se diseña tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y tener características rugosas altas de una avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en los usos de alta velocidad de la transferencia en las fuentes de alimentación, controles de motor de PWM, alto DC eficiente a los convertidores de DC y a los circuitos de puente.
CARACTERÍSTICAS
RDS(ENCENDIDO)< 2=""> GS =10V, ID = 2.5A
* capacidad rápida de la transferencia
* energía de la avalancha especificada
* capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
Uso
Transferencia de la carga
Cambiado difícilmente y el de alta frecuencia circula el sistema de alimentación ininterrumpida
| Número el ordenar | Paquete | Asignación de Pin | El embalar | |||
| Sin plomo | El halógeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 5N60KL-TA3-T | 5N60KG-TA3-T | TO-220 | G | D | S | Tubo |
| 5N60KL-TF1-T | 5N60KG-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 5N60KL-TN3-R | 5N60KG-TN3-R | TO-252 | G | D | S | Bobina |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 600 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±30 | V | |
| Drene la corriente | Continuo | ID | 5,0 | A |
| Pulsado (nota 2) | IDM | 20 | A | |
| Corriente de la avalancha (nota 2) | IAR | 4,0 | A | |
| Energía de la avalancha | Escoja pulsado (la nota 3) | EAS | 80 | mJ |
| Enarbole la recuperación del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 3,25 | V/ns | |
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Disipación de poder |
TO-220 |
PD |
106 | W |
| TO-220F1 | 36 | W | ||
| TO-252 | 50 | W | ||
| Temperatura de empalme | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD | |
| Empalme a ambiente | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
| TO-252 | 110 | °C/W | ||
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Empalme al caso |
TO-220 |
θJC |
1,18 | °C/W |
| TO-220F1 | 3,47 | °C/W | ||
| TO-252 | 2,5 | °C/W | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD | |
| DE CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corriente de la salida de la Dren-fuente | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corriente de la salida de la Puerta-fuente | Delantero | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Revés | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | |||||
| EN CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10V, ID=2.5A | 2,5 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | |||||||
| Capacitancia de la entrada | CISS |
VGS=0V, V DS=25V, f=1.0MHz |
480 | PF | |||
| Capacitancia de salida | COSS | 60 | PF | ||||
| Capacitancia reversa de la transferencia | CRSS | 6,5 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA | |||||||
| Carga total de la puerta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, VGS=10V IG=100μA (nota 1, 2) | 46 | nC | |||
| Puerta a la carga de la fuente | QGS | 4,6 | nC | ||||
| Puerta para drenar la carga | QGD | 6,0 | nC | ||||
| Tiempo de retraso de abertura (nota 1) | TD (ENCENDIDO) |
VDD=30V, VGS=10V, ID=0.5A, RG=25Ω (nota 1, 2) |
42 | ns | |||
| Tiempo de subida | tR | 44 | ns | ||||
| Tiempo de retraso de la vuelta-APAGADo | TD (APAGADO) | 120 | ns | ||||
| Caída-tiempo | tF | 38 | ns | ||||
| GRADOS Y CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DEL DREN DE LA FUENTE | |||||||
| Corriente continua del Cuerpo-diodo máximo | IS | 5 | A | ||||
| El Cuerpo-diodo máximo pulsó corriente | ISMO | 20 | A | ||||
| Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente (nota 1) | VSD | IS=5.0A, VGS=0V | 1,4 | V | |||
| Tiempo de recuperación reversa del diodo del cuerpo (nota 1) | trr |
IS=5.0A, VGS=0V, dIF/dt=100A/μs |
390 | nS | |||
| Carga de la recuperación del revés del diodo del cuerpo | Qrr | 1,6 | μC | ||||
Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
