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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
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| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 6N60 | ||
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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MOSFET del PODER del CANAL N de 6N60 Z 6.2A 600V
El UTC 6N60Z es un MOSFET de alto voltaje del poder y se diseña tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en los usos de alta velocidad de la transferencia en fuentes y adaptadores de alimentación de la transferencia.
CARACTERÍSTICAS
RDS(ENCENDIDO)< 1=""> GS = 10V, ID = 3.1A
* capacidad rápida de la transferencia
* energía de la avalancha probada
* capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
| Número el ordenar | Paquete | Asignación de Pin | El embalar | |||
| Sin plomo | El halógeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 6N60ZL-TF3-T | 6N60ZG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 600 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±20 | V | |
| Corriente de la avalancha (nota 2) | IAR | 6,2 | A | |
| Corriente continua del dren | ID | 6,2 | A | |
| Corriente pulsada del dren (nota 2) | IDM | 24,8 | A | |
| Energía de la avalancha | Escoja pulsado (la nota 3) | EAS | 252 | mJ |
| Repetidor (nota 2) | OÍDO | 13 | mJ | |
| Recuperación máxima del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
| Disipación de poder | PD | 40 | W | |
| Temperatura de empalme | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de funcionamiento | TOPR | -55 ~ +150 | °C | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CLASIFICACIÓN | UNIDAD |
| Empalme a ambiente | θJA | 62,5 | °C/W |
| Empalme al caso | θJC | 3,2 | °C/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD | |
| DE CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
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Corriente de la salida de la Dren-fuente |
IDSS |
VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| VDS = 480V, VGS = 0V, TJ=125°C | 100 | μA | |||||
| Corriente de la salida de la fuente de la puerta | Delantero | IGSS | VGS = 20V, VDS = 0V | 10 | μA | ||
| Revés | VGS = -20V, VDS = 0V | -10 | μA | ||||
| Coeficiente de temperatura del voltaje de avería | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, referido a 25°C | 0,53 | V/°C | |||
| EN CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS = 10V, ID = 3.1A | 1,4 | 1,75 | Ω | ||
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | |||||||
| Capacitancia de la entrada | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 megaciclo | 770 | 1000 | PF | ||
| Capacitancia de salida | COSS | 95 | 120 | PF | |||
| Capacitancia reversa de la transferencia | CRSS | 10 | 13 | PF | |||
| CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA | |||||||
| Tiempo de retraso de abertura | TD (ENCENDIDO) |
VGS=0~10V, VDD=30V, ID =0.5A, RG =25Ω (Nota 1, 2) |
45 | 60 | ns | ||
| Tiempo de subida de abertura | tR | 95 | 110 | ns | |||
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (APAGADO) | 185 | 200 | ns | |||
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tF | 110 | 125 | ns | |||
| Carga total de la puerta | QG | VGS=10V, VDD=50V, ID=1.3A IG=100μA (nota 1, 2) | 32,8 | nC | |||
| Carga de la Puerta-fuente | QGS | 7,0 | nC | ||||
| Carga del Puerta-dren | QGD | 9,8 | nC | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE Y GRADOS MÁXIMOS | |||||||
| Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente | VSD | VGS = 0 V, IS = 6,2 A | 1,4 | V | |||
| El diodo continuo máximo de la Dren-fuente remite la corriente | IS | 6,2 | A | ||||
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El máximo pulsó diodo de la Dren-fuente Corriente delantera |
ISMO | 24,8 | A | ||||
| Tiempo de recuperación reversa | trr |
VGS = 0 V, IS = 6,2 A, dIF/dt = 100 A/μs (nota 1) |
290 | ns | |||
| Carga reversa de la recuperación | QRR | 2,35 | μC | ||||
Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento. Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
