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Datos del producto:
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| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
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| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 12N10 | ||
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
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MOSFET del poder del modo del aumento del canal N HXY12N10
DESCRIPCIÓN
El HXY12N10 utiliza tecnología y diseño avanzados del foso para proveer del RDS excelente (ENCENDIDO) la carga baja de la puerta. Puede ser utilizado en una amplia variedad de usos.
CARACTERÍSTICAS
● VDS =100V, ID =12A
RDS (ENCENDIDO) < 130m="">
Uso
Uso de la transferencia del poder del ●
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia del ●
Sistema de alimentación ininterrumpida del ●
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 100 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±20 | V |
| Drene Actual-continuo | Identificación | 12 | A |
| Drene Actual-continuo (TC=100℃) | ID (100℃) | 6,5 | A |
| Corriente pulsada del dren | IDM | 38,4 | A |
| Disipación de poder máxima | Paladio | 30 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,2 | W/℃ | |
| Sola energía de la avalancha del pulso (nota 5) | EAS | 20 | mJ |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | GRADOS | UNIDAD | |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDSS | 600 | V | |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±30 | V | |
| Corriente continua del dren | ID | 10 | A | |
| Corriente pulsada del dren (nota 2) | IDM | 40 | A | |
| Corriente de la avalancha (nota 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Energía de la avalancha | Escoja pulsado (la nota 3) | EAS | 365 | mJ |
| Enarbole la recuperación del diodo dv/dt (nota 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
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Disipación de poder |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| Temperatura de empalme | TJ | +150 | °C | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ +150 | °C | |
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condición | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| De características | ||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corriente de la salida del Puerta-cuerpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| En las características (nota 3) | ||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Resistencia del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transconductancia delantera | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Características dinámicas (Note4) | ||||||
| Capacitancia de la entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacitancia de salida | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Características de la transferencia (nota 4) | ||||||
| Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| Tiempo de subida de abertura | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (apagado) | - | 35 | - | nS | |
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Carga total de la puerta | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Carga de la Puerta-fuente | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Carga del Puerta-dren | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Corriente delantera del diodo (nota 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Tiempo de recuperación reversa | trr |
TJ = 25°C, SI =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | nS | |
| Carga reversa de la recuperación | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Tiempo de abertura delantero | tonelada | El tiempo de abertura intrínseco es insignificante (el excitamiento es dominado por LS+LD) | ||||
Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento. Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
